專家傳真-中國半導體發展模式之探討

中國半導體業發展進程在歷經萌芽期、自力更生的初創時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發引進時期、全面佈局的重點建設時期、高速發展期等階段之後,2014年迄今持續處於黃金發展期,當中2014年6月國務院發佈的《國家集成電路產業發展推進綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導體業發展最大的轉捩點,爾後不論是中國製造2025、中國十三五規劃等新世紀發展戰略的帶動,或是2017年1月工業和資訊化部、國家發改委正式宣佈《資訊產業發展指南》,確定集成電路等九大資訊產業將是發展重點,均顯示中國官方對於半導體業的支持力道並未減弱,且仍持續進行中。

至於在半導體發展模式的選擇上,如果參考全球主要供應國的經驗,過去美國、日本、韓國、台灣皆有所不同,以美國來說,其可稱為創新引領的模式,也就是美國從軍工時代、PC時代、智慧型手機時代,均以創新的研發技術取得先發者的優勢,迄今仍坐穩全球第一大半導體供應國的角色;日本則是消化吸收、自主創新的模式,可謂是1970~1990年家電產業繁榮時最強的半導體後發崛起者;韓國為集中式發展、品牌化超越的模式,主要由大財團或大企業來主導,特別是打造記憶體王國,2017年第二季韓國在全球行動式記億體、DRAM、NAND Flash的市佔率分別高達83.2%、73.5%、45.5%;台灣則是走獨步全球的專業分工模式,在2017年全球半導體產值排行中,僅次於美國位居第二,超越韓國、日本、歐洲、中國、新加坡,這個國際領先地位與重大成就是台灣的驕傲。

事實上,中國半導體的發展模式正透過「設計+晶圓代工+封測」和「記憶體」兩條線並進的方式進行國產化趨勢,前者是學習台灣模式從晶圓代工切入,「晶圓代工+封測」形成虛擬IDM,並進一步孵化整合集成設計公司,後者是學習韓國模式從記憶體切入,採用IDM模式,希望未來抓住3D NAND Flash技術升級的機遇。

首先,中國半導體遵循的「設計—製造—封裝」產業鏈孵化方式,近年來已有所成效,且隨著結構調整效果的浮現,中國集成電路產業結構正不斷優化中,意即產業持續往上游高附加價值的部分來發展,中國集成電路設計佔整體集成電路比重從2006年18%上升至2017年上半年的38%;反觀半導體封裝及測試在中國集成電路產業占比從2006年的51%下降至2017年上半年的36%;至於集成電路製造業2017年上半年佔整體集成電路產業比重則為26%的水準;顯然中國集成電路設計業、半導體封裝及測試業比重一長一消的比重變化趨勢仍持續,代表中國集成電路產業結構正在向技術含量較高的方向發展。

至於中國半導體第二條發展路徑--學習韓國模式從記憶體切入,雖然2015~2016年佈局情況似完整,也就是中國發展記憶體製造業有三大主力,包括以紫光與武漢新芯為首的陣營,將主力發展DRAM、NOR Flash、3D NAND Flash等產品,亦有以利基型DRAM為發展重心的福建晉華,更有專攻DRAM的合肥市政府;但受制於國際大廠佈下綿密的專利網,且力阻中國進行海外記憶體廠的購併,在無技術授權來源、人才短缺之下,中國記憶體事業要從0走到1仍顯困難,紫光國芯宣布暫停整併長江存儲似乎透露端倪,意謂2018年中國即將進入記憶體量產的時程恐有疑慮,未來對岸如何完成最後半導體的一塊拼圖,各界都相當關注。

(工商時報)

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