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  • 英飛凌推全新 CoolSiC MOSFET:無冷卻風扇的免維護伺服驅動器

    英飛凌推全新 CoolSiC MOSFET:無冷卻風扇的免維護伺服驅動器

    英飛凌科技(Infineon)支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器。藉由推出採用 最佳化 D2PAK-7 SMD 封裝,搭載 .XT 互連技術的全新 1200 V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達 80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。此裝置能夠在伺服驅動器解決方案的各種額定功率實現高效率,其他受惠於此 SMD 裝置的應用包括精簡的充電基礎設施及工業電源供應器。 \n英飛凌工業電源控制事業部總裁 Peter Wawer 表示,無冷卻風扇的自動化解決方案在節省維護作業與材料方面,開啟了新局。藉由結合 CoolSiC 溝槽式 MOSFET 晶片與 .XT 互連技術,可提升小尺寸封裝的散熱與循環能力。這也有助於將驅動器精簡地整合進馬達或機器人手臂。 \n伺服驅動器是製造設備馬達的「啟動器」,SiC MOSFET 的電阻傳導損耗及可完全控制的切換暫態,能夠完美配合這類馬達的負載曲線。系統損耗可望降低 80%,相同 EMC 等級的 IGBT 解決方案 (dv/dt 為 5 至 8 V/ns 時) 也不例外。全新 CoolSiC MOSFET SMD 裝置的短路承受時間為 3 μs,符合電感器相對小且纜線較短的伺服馬達的需求。 \n採用.XT 技術透過晶片封裝互連能力,較標準封裝可額外散發 30% 的損耗。CoolSiC .XT 產品組合具備同級最佳的熱效能與循環能力,因此相較標準技術,輸出電流可增加 14%、切換頻率加倍、操作溫度可降低 10 至 15 度。 \nD2PAK-7 封裝的 1200 V CoolSiC MOSFET 現已開放訂購。英飛凌預計在2021年將此 SMD 封裝產品組合延伸至 650 V,並提供超過 18 種全新產品的工程樣品。 \n圖說:英飛凌發表搭載.XT互連技術的全新1200 V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。

  • 歐洲最強400kW DC充電器:英飛凌CoolSiC助力實現超快速充電站

    西班牙電源轉換集團Ingeteam與英飛凌科技(Infineon)攜手合作,打造超快速(superfast)電動車(EV)充電服務,讓客戶享有最佳體驗。Ingeteam所提供的INGEREV RAPID ST400轉換器的額定功率為400kW,內建採用EasyDUAL 2B封裝的CoolSiC MOSFET。每個充電點都佈建了8個英飛凌 FF6MR12W1M1_B11模組。依據個別車輛充電能力的不同,一輛電動車最快只需停靠10分鐘,就能完成80%的電池充電,相當於傳統內燃機車輛的加油速度。 \nINGEREV RAPID ST400轉換器的設計已於在現實生活中的成功運作獲得實證。在去年,已由西班牙頂尖的充電技術服務商IBIL公司為西班牙多元能源供應及加油站領導營運商Repsol公司成功開發、實作及試行整合此項技術的第一個專案。這項專案佈建於比斯開灣(Bay of Biscay)地區的烏加德比塔(Ugaldebieta),作為電動車領域的燈塔計畫,並在2019年10月開始試行。 \n專案設施位於交通非常繁忙的A-8高速公路,設置四個超快速充電點,可確保在同時接入四台車的情況下,以最佳方式自動分配可用電源。此外,更重要的是,這項技術相當無瑕,自開始至今都運作順利,沒有發生任何重大缺失。 \n英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer博士表示,SiC實現了超快速的切換速度以及更低的切換損耗,從而縮短了充電時間。加上所需的冷卻元件大幅減少,也讓充電站的體積縮小了近1/3。SiC的物理特性可為電動車做出重大貢獻。多項不同的消費者研究顯示,電動車的市場接受度,有極大部分取決於高效快速的充電基礎設施。我們已經證明足以提供這項基礎技術。

  • 英飛凌推出62mm CoolSiC模組 為碳化矽開闢新應用領域

    英飛凌推出62mm CoolSiC模組 為碳化矽開闢新應用領域

    (圖:英飛凌推出62mm CoolSiC模組,為碳化矽開闢新應用。圖/業者提供) \n英飛凌科技(Infineon)旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽(SiC)打開了250kW以上(此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。 \n相較於一般的62mm IGBT(絕緣閘雙極電晶體)模組,碳化矽的應用範圍更擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。 \n該62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET ,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和導通損耗可減小散熱元件尺寸。在高開關頻率下運作時,可使用更小的磁性元件。透過英飛凌CoolSiC晶片技術,客戶可以設計出尺寸更小的變頻器,從而降低整體系統成本。 \n新產品採用62mm標準基板和螺絲固定方式,具有高強固性的外殼結構設計,且設計經過最佳化,可達到最高的系統可用性,同時降低維修成本以及停機損失。出色的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度(Tvjop),帶來出色的系統可靠性。其對稱性的內部設計,能讓上下開關達到相同的切換條件。亦可選配「熱介面材料」(TIM),以進一步提高模組的熱效能。 \n採用62mm封裝的CoolSiC MOSFET 1200V分別提供6mΩ/250A,3mΩ/357A和2mΩ/500A型號選擇。另外還推出有助快速特性化 (雙脈衝/連續作業) 的評估板,為便於使用,還提供了可彈性調整的閘極電壓和閘極電阻。 \n

  • 英飛凌再添SiC新產品 鎖定1700V市場

    英飛凌科技股份有限公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級,繼今年稍早推出的650V產品後,現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。 \n新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700V CoolSiC MOSFET適用於三相轉換系統的輔助電源供應器,例如:馬達、再生能源、充電基礎設施及HVDC系統等。 \n全新1700V CoolSiC溝槽式MOSFET適用於+12 V/0 V閘極源極電壓與一般PWM控制器相容的返馳式拓撲,因此,無需閘極驅動IC,就能直接以返馳式控制器來運作。 \n這類低功率應用通常在100W以下運作。在這些情況下,設計人員通常偏好採用單端返馳式拓撲。有了SMD封裝的1700V CoolSiC MOSFET後,甚至能在輸入電壓高達1000 VDC的直流連結連接輔助電路啟用這種拓撲技術。使用單端返馳式轉換器的輔助轉換器具高效率和高可靠性,可建置於三相電源轉換系統中,進而將尺寸縮到最小並減少物料清單。 \n英飛凌工業電源控制部門SiC資深協理Peter Friedrichs博士表示:「1700V CoolSiC MOSFET採用溝槽式技術,可完美平衡效能及可靠性。它結合SiC的出色特性:在高壓SMD封裝中提供精巧尺寸及低損耗,有助於讓我們的客戶大幅降低其輔助電源供應器的複雜性。」 \n1700V阻斷電壓消除了設計上針對過電壓餘度及電源供應器可靠度的疑慮。CoolSiC溝槽式技術具備此電壓等級電晶體的最低裝置電容和閘極電荷。 \n因此,與先進的1500V矽MOSFET相比,其功率耗損減少了50%以上,效率也提升了2.5%。與其他1700V SiC MOSFET相比,其效率提升0.6%。低損耗有助於打造尺寸精巧的SMD封裝,以自然對流冷卻的方式進行組裝,不再需要散熱器。

  • 英飛凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列

    英飛凌科技(Infineon)持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合,新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。 \n英飛凌電源管理與多元電子事業處高壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示,推出這項產品後,英飛凌在600V/650V電源領域完備了矽、碳化矽和氮化鎵(GaN)型功率半導體產品組合。這也凸顯了我們在業界的獨特地位,是唯一一家推出涵蓋這三種電源技術多樣化產品的製造商。此外,最新的CoolSiC系列也展現了我們目標成為工業用SiC MOSFET開關供應商龍頭的決心。 \nCoolSiC MOSFET 650V導通電阻介於27m?至107m?,採用常見的TO-247之3腳和TO-247之4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式(trench)半導體技術,使SiC強大的物理特性能獲得最大的發揮,確保裝置達到最優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時,這些裝置具備最高的跨導等級(增益)、4V臨界電壓(Vth)和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到最低的損耗,和最高的運作可靠度,同時兼顧全方位效能。 \n相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案,650V CoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優勢,例如:在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有非常低的導通電阻與溫度的相依性,散熱特性極其出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體,擁有非常低的逆復原電荷(Qrr),較效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了約80%。裝置在整流方面的耐用度,有助於輕鬆達到98%的整體系統效率,例如:搭配連續傳導模式的圖騰柱電路功率因子校正(PFC)。 \n為了簡化CoolSiC MOSFET 650V的應用設計,確保裝置實現高效能運作,英飛凌亦推出專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動IC。此解決方案結合了CoolSiC開關和專用的閘極驅動IC,有助於降低系統成本和整體擁有成本,且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET也能與英飛凌EiceDRIVER閘極驅動器系列的其他IC無縫配合運作。

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