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以下是含有DRAM及NAND Flash的搜尋結果,共48

  • 威剛8月合併營收23.5億元 月成長14%

    受惠DRAM及NAND Flash合約價在7月底與8月底分別落底反彈,記憶體模組大廠威剛科技營運持續升溫,8月合併營收較7月成長14.04%達23.52億元。威剛表示,雖然近期DRAM現貨價回跌,但預期下跌幅度有限,DRAM及NAND Flash今年價格最低的時機已過。

  • 《熱門族群》威剛看好下半年景氣,記憶體模組臉紅紅

    記憶體模組大廠威剛科技(3260)8月營收持續攀高,為23.52億元,月增14.04%,並為10個月新高。威剛看好下半年景氣隨旺季加溫。品安(8088)日前在法說會表示,DRAM及NAND市場價格中長期將回穩,有機會因減產而趨供需平衡。記憶體模組今早股價表現續強。

  • 記憶體市況 料提前Q3觸底

     為避免記憶體價格續跌導致財報數字惡化,三星電子、SK海力士、美光科技等三大記憶體廠下半年擴大減產,業界表示,DRAM及NAND Flash市場庫存仍高,但三大廠擴大減產10~15%,再加上韓國業者後續恐因日韓貿易紛爭延燒,導致擴產受阻,可望讓記憶體市況提前在第三季觸底。

  • TrendForce:記憶體漲價是短期現象 非供需改變

    記憶體價格後市眾說紛云,TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,DRAM/NAND 因日韓貿易戰及東芝跳電產能減少,近期呈現現貨價格上漲,比較偏向短期現貨上漲,而非真正的供需改變。

  • 十銓科技6月營收6.09億元 持續增添成長競爭力

    十銓科技6月營收6.09億元 持續增添成長競爭力

    記憶體模組廠十銓科技(4967)公布6月自結合併營收月減8.7%達6.09億元,較去年同期下滑4.7%,第二季合併營收季增6.3%達17.99億元,較去年同期成長3.2%。上半年合併營收達34.91億元,較去年同期成長3.6%。

  • 旺季備貨需求 威剛H2營運拚勝H1

    記憶體模組大廠威剛科技今(6)日公告5月營收為18.02億元、月減1.68%。威剛表示,受DRAM價格持續走弱影響,5月DRAM產品營收貢獻比重下降至42.79%;惟固態硬碟(SSD)終端需求穩健,平均容量明顯提升,帶動SSD類別單月營收較上個月成長12.56%,也較去年同期大幅成長40.62%,SSD單月營收貢獻比重已上升至29.87%,為2016年11月以來新高。

  • IHS下修今年半導體市場至衰退7.4%

    市調機構IHS Markit預期,全球半導體市場在今年年初迅速出現惡化。IHS在去年底時曾預期今年半導體銷售額將較去年成長2.9%,但近日最新預期已經將成長率預估值大砍逾10個百分點,預估銷售額將下修至年減7.4%,約達4,462億美元規模。也就是說,IHS認為今年將是全球半導體市場自2009年以來的10年來最大衰退。

  • 需求低迷 力成首季獲利近12季新低

     今年以來記憶體需求低迷,DRAM及NAND Flash價量同步走跌,封測廠力成(6239)接單進入淡季,第一季合併營收144.32億元,歸屬母公司稅後淨利10.53億元,為12季度來單季低點。力成總經理洪嘉鍮表示,記憶體市況第二季將回溫,業績可望持平或小幅成長,下半年進入旺季成長可期。

  • 《半導體》力成明年營運挑戰,蔡篤恭這麼說

    《半導體》力成明年營運挑戰,蔡篤恭這麼說

    記憶體封測廠力成(6239)董事長蔡篤恭預期,明年DRAM產能增加有限、FLASH則增加較多,可能影響市場價格,但產出增加同步帶動封測需求,對力成而言不見得是壞事。同時,今年營運成長表現亮麗,明年如何維持成長將是營運挑戰。 \n \n力成目前在台灣、中國大陸、日本、新加坡設有生產基地,蔡篤恭表示,每個地區的廠各有任務、使命和期許,台灣偏向高階製程研發。中國大陸為全球最大市場之一,力成在中國大陸的2個廠扮演重要角色,目前西安廠營運也不錯,公司有很大期許。 \n \n力成去年投資布局日本,蔡篤恭指出,主要認為日本擁有全球最先進的半導體材料與機器設備,在日本設點可協助引進。在新加坡設立凸塊(Bumping)先進製程廠,則考量許多國際公司於當地設立亞洲營運中心,且政府積極爭取半導體業者投資,未來也是重要發展基地。 \n \n對於大客戶美光預期中美貿易戰將影響未來營運,力成西安廠是否造成影響,蔡篤恭回應,力成西安廠貢獻美光標準記憶體約3分之2產能,目前除中、美2國的其他地區還沒有多大影響,預期西安廠可扮演美光進入中國大陸的滿好途徑,其他地方則可移轉至其他廠房。 \n \n至於三星等其他業者規畫明年減產DRAM及NAND Flash,以維持市場價格,蔡篤恭預期明年DRAM產能增加有限,FLASH則增加較多,可能對市場價格會有些影響,但對力成而言不見得是壞事,因為晶圓產出多、封測需求也增加。 \n \n展望明年營運,蔡篤恭認為目前看來雖有些不確定因素,但力成在記憶體方面不會有太大問題,由於今年營運成長表現不錯,如何繼續維持成長是項智慧,也是明年的營運挑戰。同時,將各應用整合發展搶攻相關商機,也是另一挑戰。

  • 美光:記憶體一路好到2021年

     記憶體大廠美光(Micron)昨(22)日在美國召開分析師大會,美光執行長Sanjay Mehrotra表示,記憶體市場已出現典範轉型,以智慧型手機為中心的行動時代(mobile era),逐步轉進人工智慧(AI)等的資料經濟時代(data economy era)。資料經濟需要搭載大量DRAM及NAND Flash協助運算,記憶體市場可望一路好到2021年。 \n Sanjay Mehrotra表示,2000~2007年是PC及網際網路的時代,每年創造出的記憶體(包括DRAM、NAND/NOR Flash、SSD等)需求達2500億GB,平均每年帶來的產值達380億美元。2008~2016年進入了行動時代,每年創造出高達7兆GB的記憶體需求,平均每年帶來的產值達620億美元。 \n 但2017年進入了所謂的資料經濟時代,光去年一年就創造了22兆GB的記憶體需求,市場產值更是暴增至1,280億美元規模。Sanjay Mehrotra預估,資料經濟需要更多的記憶體協助運算及儲存,預計至2021年將創造出高達62兆GB的記憶體需求,市場產值更會見到爆炸性成長。 \n 在資料經濟的時代,AI是主角,創造了龐大的資料量及價值,例如自然語言的運算就要大量記憶體協助運算及儲存,圖像資料的儲存也需要更大的記憶體。對智慧型手機來說,在導入3D感測、4K影像、虛擬及擴充實境(VR/AR)功能後,終端邊緣運算也得搭載更多的DRAM及NAND Flash。再者,正在快速起飛的車用電子、雲端運算、資料中心等應用,對記憶體需求更是較今年呈現倍數成長。 \n 對記憶體產業來說,DRAM製程進入10奈米世代後,需要更大的資本支出,但至2021年的位元年複合成長率僅20%,NAND Flash進入3D NAND製程要全面更改設備,資本支出同樣龐大,但至2021年的位元年複合成長率僅40~45%。 \n Sanjay Mehrotra表示,在需求快速成長但供給增加趨緩的情況下,記憶體產業結構性改變,已創造出健康的動能循環,記憶體市況可望一路好到2021年。

  • 南亞科、華邦電 Q2旺Q3更讚

     記憶體大廠美光(Micron)於昨(22)日召開的分析師大會中,宣布調升2018年會計年度第三季(3~5月)財測,同時宣布與英特爾合作的QLC規格1Tb 3D NAND研發成功,首款搭載QLC NAND的固態硬碟(SSD)已開始出貨。美光看好記憶體強勁銷售動能將延續到年底,業界對於下半年DRAM及NAND Flash價格雙漲已有共識,法人則看好南亞科(2408)及華邦電(2344)第二季營運旺、第三季更讚。 \n 美光台中廠在3月中旬發生氮氣供應受阻事件,將導致美光會計年度第三季DRAM產出減少2~3%,但美光卻意外在分析師大會宣布調升季度財測,營收將由原先預估的72億~76億美元調升至77億~78億美元,每股淨利預期將由原本預估的2.76~2.90美元,上修至3.12~3.16美元。美光表示,調升財測原因包括強力的營運控管及健康的產業環境。 \n 法人表示,美光在出現小幅度產能損失的情況下還能調升季度財測,代表DRAM價格維持上漲趨勢,NAND Flash則因價格下跌至甜蜜點後引爆強勁終端需求,帶動出貨明顯放量。 \n 由於下半年是記憶體市場傳統旺季,業界預期所有規格的DRAM都將缺貨,價格將逐季調漲到年底,至於NAND Flash則在智慧型手機搭載容量倍增,下半年市場將出現小幅供不應求,價格亦將止跌反彈。也就是說,下半年將再看到DRAM及NAND Flash雙漲行情。 \n 看好下半年記憶體市場供不應求且價格看漲,法人看好南亞科及華邦電營運。以南亞科來說,受惠於20奈米DRAM出貨放量及價格調漲,4月合併營收76.81億元創歷史新高,法人看好今年將賺逾一個股本。 \n 華邦電在DRAM、NAND/NOR Flash價格同步調漲下,第一季歸屬母公司稅後淨利15.72億元,較去年同期大增約1.3倍,每股淨利0.40元並優於預期,4月合併營收44.89億為18年來單月營收次高紀錄,法人看好今年每股淨利挑戰2元。

  • 《熱門族群》美光重挫,記憶體族群跟跌

    費半成分股美光(Micron)9日股價重挫5.66%,加上電子股資金撤出,南亞科(2408)今日開低走低,跌落80元及季線關卡。南亞科今日下午將公布上月營收,預料仍有好成績。 \n 美光新春股價呈現跌深反彈後,9日收低2.58美元至42.97美元,跌幅達5.66%。台灣DRAM製造商南亞科(2408)股價幾乎都跟著美光走,今早跌破80元大關,跌幅逾4%,失守剛站回的季線,也回探月線支撐。記憶體族群包括旺宏(2337)、華邦電(2344)今早盤股價也弱勢下跌。 \n 展望2018年,南亞科技預期,2018年第一季供貨將持續吃緊,DRAM平均銷售單價走勢仍穩健。2018年整體DRAM市場供需均衡且健康,市場將持續維持穩健。 \n \n 南亞科預期,今年DRAM資本支出主要用於先進製程轉換及維持原有月產能,2018年下半起將有新增DRAM產能投入量產,預估全球DRAM平均月產能將由2017年113.3萬片微幅提升至2018年121萬片,預期2018年DRAM市場供需均衡且健康。 \n 受惠於DRAM報價去年大漲,加上出售美光持股,南亞科去年每股獲利估逾13元,上看15元。今年在20奈米全產能量產效應帶動,本業獲利持續看好。 \n 下游的記憶體模組大廠威剛科技(3260)去年受惠2017年DRAM及NAND Flash價格維持穩健漲勢,威剛2017年營收達322.25億元,較2016年大幅成長38.8%,創近4年來新高。 \n 展望2018年,威剛強調在電競、雲端及資料中心應用依舊快速成長之下,持續看好今年DRAM市況仍將有不錯表現。NAND Flash雖然面對淡季壓力,但價格可望先跌後穩,且有助於帶動終端市場需求回溫。 \n \n

  • 聚焦20奈米 DRAM 華邦電啟動建廠計畫

     記憶體大廠華邦電今年下半年DRAM及NAND/NOR Flash產能全開,但仍不能滿足客戶強勁需求。華邦電原本計畫在台灣及新加坡兩地擇一興建新12吋晶圓廠,如今確定將落腳台灣,選擇在南科高雄園區興建新廠。華邦電新廠主要是為了因應2020年之後需求,生產線將以20奈米世代製程DRAM為主體,也可望建置3x奈米NAND/NOR Flash產能。 \n 華邦電董事長焦佑鈞在今年股東常會中表示,今年記憶體需求強勁且產能供不應求,華邦電計畫興建新廠因應2020年後需求,至於新廠設廠地點將以台灣優先。而華邦電昨日宣布,新12吋晶圓廠將落腳在台灣,設廠地點在南科高雄園區,將依未來董事會通過時程,公告建廠及產能規劃相關事宜。 \n 焦佑鈞日前表示,因為建築業目前很缺土木人工,新12吋廠的建廠時間恐要由1年拉長到20個月,加上裝機與試機的時間,從建廠到量產時間需以3年計算,預計第三季決定設廠計畫。華邦電已去南科的高雄路竹基地看過,6月向南科管理局補提計畫,需地約25公頃。 \n 華邦電今年將全力擴充NOR Flash產能,希望一年內可以把供給缺口補起來,中科廠現在月產能達4.3~4.4萬片,預計年底可達4.8萬片,明年下半年達5.3萬片,但台中廠房空間最多只能擴充到5.5~5.6萬片。然以長期來看,華邦電需要興建新廠來推升業績成長,同時也能把DRAM產能限制移除。 \n 華邦電總經理詹東義日前指出,台中廠產能不足且Flash需求強勁,DRAM及Flash的生產設備不同,今年擴產都以Flash為主,目前台中廠DRAM製程已可支援3x/2x奈米,但投資金額很大,反而是擴充Flash產能的投資效益較好,台中廠的擴產以投資報酬率(ROI)最大化為主軸。但長期來看,華邦電需要興建新晶圓廠,DRAM產能限制才能移除。 \n 華邦電的DRAM製程下半年將開始導入38奈米,低容量 NAND Flash目前採用46奈米生產1~2Gb容量晶片,後續進行製程微縮後可望進入32奈米世代,至於NOR Flash製程以46/58奈米為主。設備業者預期,華邦電新廠應可在2020年進入量產,以製程推進來看,新廠將會以20奈米世代製程DRAM產線為主軸,NAND/NOR Flash則會建置3x奈米產能,後續再視情況建置2x奈米生產線。

  • 宜鼎 Q2營收拚創新高

    宜鼎 Q2營收拚創新高

     工控記憶體模組廠宜鼎(5289)全力衝刺工控及軍工規市場,宣布將推出新一代工業用PCIe介面固態硬碟(SSD)、具AES資料加密功能的SD卡、專為監控應用設計的InnoREC系列、伺服器最佳開機碟SATADOM系列、採用3D NAND的最新SATA儲存裝置等5大方案,協助產業再進化。 \n 法人指出,宜鼎第二季接單全滿,能見度直透第三季底,營收將逐季改寫歷史新高。 \n 宜鼎第一季受惠於DRAM及NAND Flash價格大漲,合併營收14.04億元創下歷史新高,雖然仍受到新台幣兌美元匯率升值影響,但平均毛利率仍季增0.8個百分點達25.2%,單季歸屬母公司稅後淨利1.07億元,每股淨利1.62元,符合市場預期。 \n 第二季因記憶體市場供不應求,宜鼎接單暢旺,4月合併營收5.46億元,續創單月營收歷史新高紀錄。法人看好宜鼎第二季營收將上看15億~16億元,續創季度營收歷史新高,且訂單能見度已直透第三季底。 \n 宜鼎決定在今年台北國際電腦展(Computex)推出五大方案協助產業再進化,同時也將展示宜鼎自行開發SSD專屬的軟體服務及雲端管理平台,透過軟體加值服務,讓硬體發揮最佳效能,且能協助客戶掌握每台裝置的狀況及運作。DRAM展示全系列DDR4 2666 MT/s升級全新速度,超低板高系列滿足各種受限空間系統的需求。 \n 宜鼎新一代PCIe SSD搭載最新邁威爾控制IC及自有韌體,以M.2規格設計,NVMe作為傳輸介面,大幅提升傳輸速度。最新的SATA產品系列採用3D NAND晶片,展現最佳效能,容量大幅提升,適用於各式的嵌入式系統。 \n 宜鼎推出AES資料加密SD卡,透過AES Engine硬體設計,生成128位元及256位元金鑰,可自行設定加解密資料的密碼,提高資料安全性。因應物聯網時代來臨,宜鼎將跨足雲端服務,開發了雲端管理平台,協助客戶掌握每台裝置的運行狀態,並結合自家SSD搭配的iSMART及iCover工具軟體,可用來預測SSD壽命,達到即時提醒並具備遠端裝置的備份還原。 \n 隨著SSD價格的降低及壽命的延長,SSD在快速成長的監控市場愈來愈受歡迎。宜鼎推出InnoREC系列是完善的監控資料儲存方案,整合多種技術,維持寫入速度與品質。DRAM主推高效能及超低板高模組系列,非常適合監控應用,大容量且節省空間。此外,搭配PoE擴充卡,協助系統整合商快速導入電力傳輸網路方案,具備易於安裝、可彈性佈線、及降低整體系統成本等優勢。

  • 至上Q2營收 拚雙位數成長

     IC通路商至上(8112)今年受惠於DRAM價格攀升,加上主力客戶OPPO、Vivo可望在本季推出新機帶動,第二季將可望交出亮眼業績。法人推估,至上第二季營收可望挑戰雙位數成長。 \n 今年首季智慧手機市場受到客戶庫存調整因素,相關供應鏈業績普遍不佳,加上新台幣強升因素,使業績雪上加霜。不過,今年第二季起中國大陸智慧手機市場陸續傳出將於本季底或第三季初發表新機,使供應鏈也逐漸動起來。 \n 據供應鏈消息指出,目前OPPO、Vivo、魅族及金立等都可望在本季或下季初發表新機種,對於DRAM、NAND Flash及面板需求將可望再起。目前至上為三星記憶體及AMOLED面板代理商,客戶端也已陸續於上月開始啟動拉貨。 \n 因此對於今年第二季合併營收,法人也抱持正向看待。法人指出,由於客戶開始針對DRAM及AMOLED開始拉貨,4月合併營收可望月增雙位數成長,將上看95億元左右水平,此外拉貨需求也在本月開始發酵,推估本季合併營收有機會雙位數成長,挑戰300億元水準,年成長幅度也可望有雙位數表現。至上不評論法人預估才數字。 \n 此外,至上首季合併營收255.9億元、季減27.35%,但相較去年同期也成長25.2%。法人表示,第一季合併營收雖然受到客戶庫存調整及季節性因素影響,但由於至上避險得當,匯損影響可望降至最低水位,每股稅後盈餘也可望守住1元水準,在新台幣強升風暴中,屬於表現相對亮眼的公司。至上不評論法人預估財務數字。

  • PC時代的榮光 一去不返

     三星挾帶記憶體產業龍頭優勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產業王座,證明了後PC時代的到來,隨著行動產業、物聯網及智慧汽車產業興起,讓原先並未擴產的記憶體產業成為炙手可熱的領域,也使得三星更加壯大。 \n 三星本次挾帶自家DRAM及NAND Flash報價急速攀升的氣勢,半導體製造事業可望躍居產業龍頭,原因正是DRAM及NAND Flash都受惠於智慧手機搭載需求倍增,在製程轉換及產能已數年未擴充等因素作用下,帶動記憶體報價上漲。 \n 從DRAM角度來看,記憶體原廠中,有能力大量產出晶圓的僅有三星、SK海力士及美光等三大陣營,但三大廠商已數年未擴產,且正在進行製程微縮,使得產能跟不上供給。 \n 觀察NAND Flash市場,在製程從2D轉進3D後,產出位元單價不斷與硬碟(HD)靠近,帶動SSD需求增加,不過又因為各大原廠在不斷增加3D NAND堆疊數,使得良率無法有效提升,這波趨勢將至少到年底,也就代表供給短缺狀況將持續到2018年初。 \n 事實上,過去DRAM產業皆被PC陣營所控制,因此合約報價及現貨報價皆未出現驚人漲幅,不過DRAM產業後來面臨產能供給過剩,歷經一波整併潮後,各大廠也才逐漸獲利,三星正是在整併潮後,取得市場龍頭寶座,才能有如此成果。 \n 記憶體產業興起,但邏輯市場卻未能有如此報價漲幅。邏輯市場過去主要依賴英特爾為主的PC市場,從CPU、GPU或是其他PC零組件,但由於摩爾定律帶動製程不斷微縮,在新製程IC放量產出,同時也使得舊製程IC價格不斷下跌,雖然隨著摩爾定律帶動製程演進,新製程IC報價也相對有撐,但不如DRAM產業具有合約報價制度,因此相對無大起大落的價格變動。 \n 在目前後PC時代,PC市場不斷萎縮,DRAM也並非由標準型DRAM主導,反倒是行動型DRAM成為市場主力,在各大物聯網產品不斷增加情形下,利基型DRAM需求也同步攀升,使三星在記憶體產業優勢下,單季營收甚至是全年營收也即將超越PC龍頭英特爾,象徵PC時代的榮光已一去不復返。

  • 半導體霸主 三星Q2登基

     記憶體價格步步攀升,帶動相關產業產值不斷升高。研調機構IC Insights預期,第2季三星可望受惠於DRAM、NAND Flash價格不斷上攀,超越英特爾成全球第一大半導體供應商,這也將是在英特爾穩坐24年龍頭寶座後、首度退居第二。 \n 本次IC Insight統計數字並未納入晶圓代工廠,因此台積電、聯電及格羅方德等專業晶圓代工廠並未列居其中。 \n IC Insights指出,DRAM、NAND Flash近來報價不斷上攀,將帶動三星在第2季躍昇成為全球第一大半導體供應商,取代英特爾穩坐24年以來的寶座。報告中指出,在去年第1季英特爾營收仍高於三星40%以上,但隨著記憶體價格上攀,今年第1季英特爾營收僅領先三星4.7%左右,取代英特爾的氣勢已經蓄勢待發。 \n IC Insights表示,記憶體價格上攀成為帶動三星半導體事業營收增加的主要原因,且目前記憶體價格仍未見價格漲勢趨緩。根據研調機構WSTS及IC Insight統計,今年第1季DRAM報價較去年第4季上漲26%,更較去年同期成長45%,至於NAND Flash報價首季報價季增8%,年增率也高達4成之多。 \n 因此IC Insight預估,第2季三星半導體事業營收將可望上攀至149.4億美元,超越英特爾的144億美元,且下半年記憶體報價持續看漲之下,三星半導體事業全年營收將超越600億美元,可望打敗英特爾成為半導體供應商龍頭。 \n 由於IC Insight的統計包含DRAM、NAND Flash、IC設計等領域,並未納入晶圓代工廠,因此高通、博通(Broadcom)、SK海力士、美光及聯發科在去年也名列前十大半導體供應商。報告中指出,前10大半導體供應商去年就拿下55%左右的市場。

  • 華邦電 DRAM接單穩

     華邦電(2344)去年合併營收達420.92億元,歸屬母公司稅後淨利28.98億元,每股淨利0.81元。 \n 由於華邦電前年已將累計虧損全數彌補,去年底未分配盈餘達29.53億元,因此董事會通過今年每普通股將配發0.6元現金股利,股息發放率達74%,也是16年來新高。 \n 華邦電今年受惠於DRAM及NAND/NOR Flash價格止跌回升,首季營收104.25億元,較去年同期成長3.4%。 \n 受惠於利基性DRAM售價穩定,行動型DRAM則拜中國大陸智慧型手機需求強勁,接單穩健成長,更間接打入蘋果供應鏈,展望樂觀。 \n 今年NOR Flash也出現缺貨,由於OLED驅動IC採用高壓製程,尚無法加入嵌入式快閃記憶體,只好退而求其次採用外掛的NOR Flash。 \n 業界近期傳出,華邦電拿下三星1.2億顆AMOLED用NOR Flash訂單。 \n 華邦電第一季也與西門子簽署合約,成為西門子工業及車電應用利基型DRAM、NAND/NOR Flash記憶體供應商。讓華邦電追求卓越的品質政策受肯定。

  • 記憶體缺貨 打亂科技廠布局

    記憶體缺貨 打亂科技廠布局

     今年以來DRAM及NAND Flash嚴重缺貨,價格漲不停,智慧型手機及筆電基於成本考量,傳出不再提高搭載容量消息。實際上,智慧型手機廠過去幾年將搭載高容量DRAM及NAND Flash作為銷售題材,但今年價格大漲使成本比重墊高,手機搭載容量不再提升,改口力推高解析度面板及雙鏡頭。筆電廠則要消費者自己買DRAM模組或SSD來安裝。 \n 由於智慧型手機及筆電的功能日益強大,對DRAM及NAND Flash的搭載容量需求自然水漲船高。不過,記憶體市場自去年下半年以來就面臨供給吃緊壓力,今年價格更是大漲,包括4GB DDR3/DDR4模組合約價在第一季漲至25美元左右,季度漲幅超過3成;另行動用8Gb LPDDR3價格也漲至5.5~6.0美元之間,季度漲幅逾1成。 \n NAND Flash市場以TLC規格晶片缺貨最嚴重,採用TLC規格NAND Flash的手機用32GB eMMC記憶體模組第一季價格已衝上10美元,採用TLC規格NAND Flash的120GB固態硬碟(SSD)站上45美元,平均漲幅同樣超過10%。 \n 面對DRAM、NAND Flash雙漲,手機廠及筆電廠面臨嚴重成本上升壓力。以大陸智慧型手機廠來說,過去幾年都以搭載高容量DRAM及NAND Flash來做促銷手法,但今年包括OPPO、Vivo等手機廠只維持Mobile DRAM搭載量在3~4GB,沒有如預期般提升到6GB,NAND Flash搭載也控制在64GB為主流,128GB以上高容量只有旗艦機型才有。 \n 手機廠今年主打促銷轉向強調搭載高解析度面板,或是採用與蘋果、三星同等級的AMOLED面板,再來就是強調雙鏡頭的攝影功能。業者坦言,記憶體價格漲上來後,占整機成本比重已超過1成,成本上吃不消,只好停止記憶體的容量升級,將規格升級放在高解析度面板及千萬畫素以下雙鏡頭的部分。 \n 筆電廠也面臨記憶體成本過高壓力。OEM業者表示,搭載英特爾最新Kaby Lake處理器及微軟Windows 10的筆電,原本應該要提高SSD容量至250GB以上,並搭載8GB DRAM模組,但在成本過高下只好維持原本的120/128GB SSD及4GB DRAM的搭載,消費者若要提高規格,就請消費者自己買DRAM或SSD來自行安裝。

  • 維護價格升勢 記憶體廠 次級品全堆倉庫

     記憶體市場近來齊吹漲價風,除了市場需求旺盛之外,各大記憶體原廠紛紛進行製程轉換,位元供給率降低,以往會釋放出的次級品(downgrade)現在通通鎖在倉庫,法人認為,此舉就是為了維護價格向上趨勢。 \n 記憶體需求旺盛,除了智慧手機在行動型DRAM及儲存資料用的eMMC的搭載量都較往年大幅提升,加上智慧電視、物聯網對DRAM也開始有一定程度需求,更隨著資料中心如雨後春筍般冒出,對伺服器用DRAM有顯著提升。 \n 但在供給側,DRAM原廠美光、三星自去年底以來陸續進入1X奈米製程轉進,但兩大廠皆傳出製程轉換不順問題,使得位元供給數減少,合約報價也逐季調整,現貨報價也是漲幅驚人。至於NAND Flash,各大廠如美光、東芝、三星及SK海力士等皆已進入3D NAND時代,堆疊層數也已經到了64層穩定生產階段,供給位元穩定放量。 \n 不過市場消息傳出,各大記憶體原廠以往都會釋放出次級品DRAM、NAND Flash,不過在製程轉進1X或3D NAND後就幾乎沒有釋出次級品,通通鎖在自家倉庫中。業者指出,以往次級品是增加位元供給、進而穩定價格的主要原因,但現在DRAM及NAND Flash漲幅驚人,廠商策略性鎖住次級品,一旦市場出現反轉訊號,各大原廠勢必爭相倒出次級品,屆時加上原有的良品,位元供給數大增之下,價格跌幅恐怕相當驚人。

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