5G及電動車浪潮推動下,能承載更高電壓、效率更好的碳化矽(SiC)已經成為國際大廠搶攻的新藍海,金氧半場效電晶體(MOSFET)尼克森(3317)2019年已經完成開發SiC高壓MOSFET,2020年將進軍大電流及第三代絕緣柵雙極電晶體(IGBT)領域,未來搶食5G、資料中心及電動車市場可期。

 5G、電動車需求持續推動下,開始加速SiC相關元件技術發展,由於SiC對比現在採用的矽(Si)在耐電壓方面有大幅提升,SiC可承受電壓幾乎都是600V起跳,且具備低功耗特性,因此對於能源轉換效率上明顯優於過往產品,未來將可望被大量應用在5G、電動車、資料中心及消費性市場。

 據了解,隨著歐盟環保法規不斷強化,新一代汽車、電動車都必須提升能源轉換效率,SiC及GaN等寬能隙製程已經成為一級零組件大廠搶攻的焦點,另外5G由於功率提升,因此功耗亦相較4G提升,舉凡基地台及其他基礎建設也開始有採用SiC及GaN的趨勢,顯示相關商機十分龐大。

 由於商機十分廣大,因此舉凡意法半導體及英飛凌等國際大廠都相繼投入這塊市場,並開始逐步量產出貨,搶食這塊SiC商機。

 市場傳出,尼克森不落人後,已經完成開發SiC製程平台的600V及1200V的Power MOSFET產品線,有機會在2020年開始出貨,搶攻這塊SiC新藍海市場。不僅如此,尼克森規劃在2020年投入新一代的SiC製程平台研發,預計將會搶攻650V及1200V的大電流Power MOSFET等新產品研發,提前佈局後續即將爆發的SiC市場,且在新世代功率半導體市場表現也領先同業。

 另外,IGBT產品部分,尼克森亦有所斬獲。法人指出,尼克森2019年已經完成第二代650V截止型(FS)IGBT研發,預期2020年將再度投入第三代650V及1200V的IGBT研發,可望在2020年傳出好消息。

 觀察尼克森近期業績表現,4月合併營收月成長21.5%至2.46億元,寫下五個月以來高點。法人看好,尼克森第二季將可望受惠於PC市場需求成長,帶動MOSFET出貨上揚,繳出明顯優於第一季的成績單。