英特磊IET-KY(4971)22日召開股東會,董事長暨總經理高永中指出,在新廠組裝氮化鎵(GaN)機台,下半年投入GaN/SiC生產,並開發自組MBE機台、期年底到位,特別因應預期快速成長的氮化鎵領域,因MBE對氮化鎵更具優勢;對今年營收年成長維持原預估5~15%,態度謹慎樂觀。

英特磊為全球唯二聚焦商用的MBE高端磊晶廠,2019年已與客戶著手開發氮化鎵。針對MBE在氮化鎵上的優勢,高永中指出,因生長的溫度低,可以減少在尺寸越來越大出現裂紋的可能,在產品的準確度、參雜度、均勻度表現上,MBE都較MOCVD來得好。

英特磊主要產品之一的銻化鎵(GaSb),今年在國防領域有重大突破,應用於戰鬥機的訂單在望,4月已有預先訂單、進入試車,惟原預定7月簽約,在大環境的改變下,時程可能略有延遲,但高永中表示,在第三季可望看到結果。下半年主要成長動力來自磷化銦(InP)、應用於光電方面,以及來自國防新訂單的銻化鎵。