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在全球AI运算军备竞赛持续升温之际,高频宽记忆体(HBM)作为AI晶片的关键零组件,其供应商的议价能力达到了前所未有的高度。根据《BusinessKorea》、《华尔街见闻》等外媒报导,SK海力士已完成与辉达的HBM4供应谈判,双方最终敲定单价500美元以上,较前代HBM3E上涨逾50%,涨幅之高创歷史纪录。不过,对于此消息,SK海力士官方声明:「公司对客户相关事宜不予置评」。
最新发布的出口数据意外强劲,以及SK海力士和三星电子等科技大厂业绩报喜,受此激励,周一南韩KOSPI指数盘中大涨约2.3%,报4203.11点。
三星电子31日表示,正在跟NVIDIA密集讨论,供应下一代HBM(高频宽记忆体),也就是HBM4晶片之事宜。据悉,三星计画在2026年推出这款新产品,但并未具体说明何时可以开始供货。31日,三星股价收盘大涨3.3%。
云端服务业者再度拉高资本支出,确立AI伺服器需求续强,根据TrendForce最新报告显示,2026年因来自云端服务业者(CSP)、主权云需求稳健,GPU、ASIC拉货动能将有所提升,加上AI推理应用蓬勃发展,全球AI伺服器出货量将年增20%以上,占整体伺服器比重上升至17%。
记忆体价格涨势持续升温,第四季DRAM市场可望迎来全面上修。TrendForce最新调查指出,全球云端服务供应商(CSP)积极扩建资料中心,带动伺服器用DRAM合约价走强,供应商同步调高报价意愿,使一般型DRAM价格预估涨幅由原先的8%~13%,上修至18%~23%。惟目前合约价尚未完全开出,后续仍可能再次调升,反映出供需持续偏紧,市场气氛转趋乐观。
根据TrendForce最新调查,2025年第四季server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充资料中心规模,涨势转强,并带动整体DRAM价格上扬。儘管第四季DRAM合约价尚未完整开出,供应商先前收到CSP加单需求后,调升报价的意愿明显提高。TrendForce据此调整第四季一般型(conventional DRAM)价格预估,涨幅从先前的8-13%,上修至18-23%,并且极有可能再度上修。展望明年,预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势,尤以上半年较显着,与HBM3e价差在明年预估显着收敛。
市场传出三星将对12层的HBM3E产品砍价3成,大抢占市占率,法人认为,对台湾传统记忆体业者影响有限,反倒凸显三星自身因良率提升缓慢陷入窘境。昨天记忆体业者南科(2408)、华邦电(2344)、群联(8299)股价大涨,但分析师陈威良表示,不建议追逐千元以上的群联,反倒是存货股本比高的威刚(3260)、十铨(4967)、宜鼎(5290)是十足的涨价受惠者。
根据韩国媒体报导,为了在AI世代中争夺高频宽记忆体(HBM)市场,三星电子祭出激进降价策略,将其12层HBM3E堆迭的价格下调了高达30%,试图在与SK海力士以及美光(Micron)的竞争中取胜。
联咏(3034)跨越重大里程碑,成功完成以Arm Neoverse CSS N2为基础的高效能运算(HPC)系统单晶片(SoC),并于台积电N4P先进制程顺利Tape out(流片),为联咏进军资料中心、AI云端与车用运算市场注入一剂强心针。
辉达17日宣布首片在美国境内制造的Blackwell晶圆正式问世。这款具有里程碑意义的晶片,是由台积电位于亚利桑那州的工厂所生产。为了庆祝这项美国本土制造的重要成果,辉达执行长黄仁勋还亲自前往亚利桑那厂进行参访。外媒分析指出,此事对于辉达以及台积电而言,都具有高度的战略、象徵,以及政治意义,然而也点出了一个关键问题,那就是这款晶片仍然需要运送回台积电位于台湾的工厂,进行后续的封装作业。
AI应用遍地开花,国际大厂记忆体技术及产能竞争进入白热化,台系记忆体厂抢搭涨价的顺风车。
美国记忆体大厂美光(Micron)据传近期积极招揽韩籍工程师。业界消息人士于19日透露,美光目前正透过职场社群平台领英(LinkedIn),锁定三星电子、SK海力士等南韩公司的资深半导体工程师,招募他们前往位于台湾台中市的晶圆厂工作,据了解,所提供的年薪最高可达2亿韩元(包含奖金,约新台币475万元)。
三大原厂DRAM新产能集中高频宽记忆体(HBM)及先进制程产品,传统DDR4供应进一步下滑,台厂南亚科与华邦电成为全球DDR4市场的关键稳定力量。
辉达正式宣布,三星晶圆代工部门已经成为客制化中央处理器(CPU)与AI加速器晶片(XPU)的合作伙伴,具体的合作范围并未公开,但对三星而言是重大突破,辉达则可以透过不断扩增的AI生态系,取得多元解决方案,进而达到降低生产成本并维持高速技术推进的目标。
儘管三星电子尚未正式对辉达供货,仍因AI需求推高传统记忆体晶片价格而受惠,预计第三季(7至9月)营业获利将创下2022年以来最高纪录。
路透社13日报导,在伺服器的需求下推升记忆体晶片售价,加上客户重建库存水位,韩国三星电子第3季的获利,可望创下自2022年以来最高。
记忆体在AI助力之下,迎三年最强復甦,美光、SanDisk、三星陆续调涨DRAM与NAND报价,南亚科、华邦电、威刚、群联积极抢攻商机。
由「晶片双雄」三星电子、SK海力士飙涨带动,周五(10月10日)长假后归队的南韩股市创下歷史收盘新高。
之前因良率问题迟迟抢不到辉达订单的三星电子,终于在近日盼来好消息。韩媒News1报导,辉达近日正式批准三星的12层高频宽记忆体(HBM3E),将导入新一代旗舰AI伺服器GB300。这项突破不仅是三星今年最重大里程碑,也象徵三星重返高阶HBM竞赛,成功打入辉达核心供应链。
美国232条款的半导体国安调查结果还未底定,消费端电子零组件价格已经蠢蠢欲动,市场传出记忆体大厂再度停止报价,CPU也酝酿上涨,外资分析,主要受AI基建的强劲需求,上游原厂调配产能所致,而OpenAI执行长奥特曼(Sam Altman)近日的亚洲行,主要就是争取优先生产。