第三代半导体材料氮化镓(GaN)等发展受瞩,全球磊晶龙头IQE 2020年营收估将逾1.7亿元英镑,年增逾二成,即由GaN on SiC(碳化硅基氮化镓)用于5G基础设施所贡献,惟相较其高成本,GaN on Si(硅基氮化镓)获市场相对看好、将率先进入无线射频(RF)市场,已投入相关研发的台系三五族半导体厂包括稳懋(3105)、宏捷科(8086)等也已就战备位置。

宏捷科指出,GaN制程选择有三,包括GaN on Sic(碳化硅基氮化镓)、GaN on Si、GaN on Sapphire;其中,6吋GaN on Sic在各方面表现最佳,然成本最高,现阶段不适合消费性电子产品。GaN on Sapphire则有散热不佳的问题,相较之下,GaN on Si将有机会率先进入基础建设与高频射频市场。

一般以GaAs(砷化镓)所制作的晶圆要价约1,000~1,200美元/片,但若是以GaN on Sic制作,光是Epi(磊晶)一片就要约7,000~8,000美元,整个制程下来,一片要价恐高达10,000美元,与GaAs相较,差距约8~10倍左右,成本相当昂贵。此外,SiC基板主要由美系龙头大厂Cree所掌握,几乎是垄断,以致材料取得不易。

GaN on Si目前已有包括台积电在内用以制作快充,现阶段以Power(电源)市场为主,无线通讯的RF(射频)元件则是各界亟欲卡位的未来商机。

包括稳懋、全新、宏捷科、全讯、环宇-KY、太极、中美晶等纷纷着手相关布局,如中美晶携手宏捷科、全新与太极、汉磊集团积极思考如何确保SiC(碳化硅)基板来源。

宏捷科表示,与中美晶合作,正是看好其旗下半导体子公司环球晶圆最有能力提供材料,现阶段已陆续就参数等细节,进行来回调整,期望能在2022年上半年达到量产目标。

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