由于三大DRAM厂去年资本支出相对保守,加上调拨20奈米世代旧制程产能生产CMOS影像感测器(CIS)或投入晶圆代工,导致今年以来产能供不应求,并推升1月现货价及合约价同步调涨。

然而中国农历年后需求不减反增,加上业界传出三大DRAM厂已通知客户无法保证第二季足额供货,造成现货价上周大涨10~15%,缺货严重的2Gb DDR3更在上周飙涨逾30%。

由于标准型、利基型、伺服器等各应用别DRAM现货价全面飙涨停不住,加上预期三大DRAM厂将在3月之后採配额销售(allocation),业界预期DRAM供不应求将导致价格一路涨到年底。法人看好南亚科(2408)、华邦电(2344)、晶豪科(3006)、钰创(5351)等DRAM类股营运逐季成长且旺到年底。

包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂去年投资重心放在制程升级,今年虽然有新产能陆续投入量产,但主要是用于填补制程由1z奈米微缩至1a奈米导致的产能自然减损,加上三星及SK海力士将旧制程移转生产CIS元件或转为晶圆代工,DRAM总投片量几乎与去年持平,位元供给量增加幅度十分有限。

不过,中国农历年后DRAM需求呈现跳跃成长,包括5G智慧型手机搭载行动式DRAM平均容量较4G手机增加逾五成,英特尔及超微新平台笔电DRAM主流搭载容量倍增至16GB,资料中心及伺服器出货转强带动伺服器DRAM强劲需求。由于上半年并无新产能开出,但需求大幅提升已造成供货严重吃紧,业界传出,三大DRAM厂已通知客户无法保证第二季能够足额供货,造成DRAM抢货风潮再起,现货价近日持续飙涨。

根据集邦科技及模组厂报价,标准型8Gb DDR4现货价上周大涨10%达4.8~4.9美元,预期本周将一举站上5美元大关并创近二年新高。利基型4Gb DDR3现货价上周大涨逾15%达3.5美元,预期近期将上看4美元,至于缺货严重的利基型2Gb DDR3现货价上周大涨逾30%达2.85美元,预期本周将涨破3美元并改写五年来新高。

受惠DRAM现货价大涨,南亚科1月合併营收55.32亿元,华邦电1月合併营收69.03亿元,钰创1月合併营收3.41亿元,表现均优于预期。去年争取到低价DRAM晶圆产能的晶豪科1月合併营收16.32亿元创歷史新高,自结单月税后净利1.39亿元,较去年同期成长157%,每股净利0.48元优于预期。法人看好价格涨势延续到下半年,将带动DRAM厂今年营运逐季成长且一路看旺到年底。

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