5G、AI、IoT需求爆发 台积电扩大特殊制程布局

为了抢攻5G、AI、IoT的庞大晶片市场大饼，台积电除加快先进制程技术研发及产能布建，也同步扩大成熟及特殊制程布局。台积电特殊技术业务开发资深处长刘信生在技术论坛指出，台积电致力为广泛的应用提供同级最佳的特殊制程技术，包括射频（RF）及连网、CMOS影像感测、电源管理技术等。台积电提供技术的客制化服务，为客户创造独特的差异性，并拥有完善的智慧财产权保护系统。

台积电支援IoT和AI边缘运算装置推出超低功耗技术，12奈米N12e制程将晶片工作电压（VDD）降低到0.4V，实现了新等级AI应用及极低电压、低功耗的产品设计。台积电指出已达到显着减少漏电，以实现最低待机功耗。相较于28奈米模组，N12e制程的待机漏电减少八倍，保留漏电则减少五倍。

再者，台积电针对先进的5G与连网RF技术，于2021年3月发布了6奈米N6RF制程的流程设计套件，为5G行动网路和WiFi 7应用提供卓越的RF功能和运算效率。相较于上一代16奈米技术，新推出的N6RF技术效能提高20％，功耗与面积减少40％。至于28奈米在毫米波RF应用方面也有增强，功耗效率提高20％。

在微控制器（MCU）及嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）特殊制程部分，台积电最先进的非挥发性记忆体技术已进展到28奈米，并已通过Grade-1验证，支援汽车应用。Grade-0代表产品可承受高达摄氏150度的温度，预计于今年第三季通过验证。台积电亦推出40奈米和22奈米电阻式随机存取记忆体（RRAM）技术已进入生产，22奈米磁性随机存取记忆体（22MRAM）已经开始生产。