聚焦3关键研究突破 英特尔：创新技术推进摩尔定律

英特尔资深院士暨元件研究经理Robert Chau表示，在英特尔心中，推进摩尔定律所需的研究和创新永不停歇。英特尔元件研究事业群于IEDM 2021分享关键研究突破，带来革命性的制程和封装技术，这是科学家和工程师勤勉不懈的工作成果，走在创新最前线继续为延续摩尔定律而努力。

摩尔定律已经随着运算创新，满足从大型电脑至行动电话每个科技世代的需求，这条演化之路随着进入无限资料和人工智慧的新运算时代得以延续。英特尔表示，持续不断地创新为摩尔定律的基石。英特尔的元件研究事业群致力于横跨3个关键领域创新：提供更多电晶体的必要微缩技术、提升电源和记忆体的新硅功能、探索新物理概念以便革命性改变世界运算的方式。

在IEDM 2021揭晓的突破，表示英特尔有望在2025年之后，藉由三项领域的探索，继续推进和汲取摩尔定律优势。一是英特尔正追寻基本微缩技术的重要研究，能够在未来的产品之中提供更多的电晶体，包括导入Foveros Direct先进封装计画、採用环绕式闸极（GAA）RibbonFET架构、展示仅有数个原子厚度的新型材料能做出克服传统硅通道限制的电晶体。

二是英特尔为硅带来新功能，包括在12吋晶圆达成全球首创整合以氮化镓（GaN）为基础的电源开关和以硅为基础的CMOS，推进更有效率的电源技术。以及英特尔使用新型铁电材料，低延迟读写能力有可能成为次世代嵌入式DRAM技术。

三是英特尔正在追寻以硅电晶体为基础的量子运算所带来的强劲效能，以及与新型室温装置搭配运作，拥有巨量能源效率运算的全新开关。英特尔于IEDM 2021展示于室温运作的全球首款实验性磁电自旋轨道（magnetoelectric spin-orbit，MESO）逻辑装置实作，显示出基于开关奈米规模磁铁的新型电晶体可制造性的潜力。