英特尔买最强EUV 强碰台积电

半导体逻辑先进制程将在2024年后进入2奈米世代，后续制程推进将开始进入埃米（angstorm）时代，为了支援台积电、英特尔、三星等半导体厂的制程延续，微影设备大厂艾司摩尔（ASML）已投入研发更高精准度的高数值孔径（High-NA）曝光设备，英特尔成为首家下订客户，预期2025年进入量产，而台积电将跟进下订。

■台积电将跟进下订

英特尔19日宣布，向ASML下订业界首台High-NA量产型EUV曝光机EXE:5200，2025年进入生产。设备业界指出，台积电早已向ASML採购High-NA研发型EUV曝光机EXE: 5000，随着位于竹科宝山的2奈米晶圆厂Fab 20开始启动建厂计画，预期2022年内就会跟进对ASML下订High-NA量产型EUV曝光机。

■具备大量生产特色

英特尔19日宣布与ASML达成长远高数值孔径合作案的框架内容协议，英特尔已向ASML下订「业界首台」量产型EUV曝光机EXE:5200。这是款具备High-NA的EUV大量生产系统，每小时晶圆曝光产能可达200片以上。

■英特尔2025年採用量产

英特尔于2021年7月Accelarated活动中宣布，其部署首款High-NA技术的计画，藉以确立电晶体创新路线图发展。英特尔早在2018年即是EXE:5000系统的首位买家，透过此次所宣布的新订购案，双方合作关系将随着英特尔于2025年开始以高数值孔径EUV进行生产制造而延续下去。

ASML执行长Peter Wennink指出，High-NA研发型EUV曝光机EXE: 5000将会在2024年前出货，在手订单已达5台，量产型EUV曝光机EXE: 5200将会在2024年推出，支援客户后续量产计画。

ASML表示，相较于目前的EUV系统，ASML持续创新拓展EUV技术蓝图，并以降低后的复杂性、成本、周期时间和能量，提供驱动晶片产业下个十年所需要的良好经济规模延展性。

支援High-NA的EUV曝光机包含新颖的光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段，与之前EUV机器所具备的0.33数值孔径镜片相比，提供精确度提升的0.55高数值孔径，为更小的电晶体特徵提供更高的解析度图案化。系统所具备的数值孔径结合其使用波长，决定了最小能够印制的特徵尺寸。

ASML表示，0.55高数值孔径EUV技术已为2025年开始的多个未来节点所设计，同时也是业界首次部署该技术，随之而来的将是具备相近密度的记忆体技术，High-NA技术有望自2025开始支援生产制造，并作为延续摩尔定律的其中一个重要方式。