力旺在嵌入式MRAM或ReRAM硅智财市场已有突破性发展，去年与联电合作完成40奈米嵌入式ReRAM可靠性验证，并投入22奈米嵌入式MRAM或ReRAM制程IP开发。力旺指出，与传统eFlash制程相较，嵌入式MRAM或ReRAM可减少光罩层数，更容易进行制程整合，且适用于28奈米以下先进制程，新兴嵌入式记忆体可扩展力旺IP产品组合。
力旺看好车用晶片导入嵌入式MRAM趋势，因为28奈米以下制程若採用传统eFlash制程，将导致成本拉高及微缩难度增加等问题，且MRAM有耐高温优势，温度改变不影响磁性，因此许多车用MCU厂已开始转向採用嵌入式MRAM技术来取代现有的eFlash制程。
在晶圆代工厂积极扩建28奈米产能下，力旺今年将进入全面收割阶段，28奈米权利金贡献将大幅增加至30％以上。
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