晶豪科 今年可望赚逾二股本

记忆体设计业者晶豪科（3006）去年DDR3主要採用38奈米投片，但今年大幅转进採用25奈米量产，平均DRAM颗粒制造成本大降逾30％。

由于WiFi 6／6E无线网路主晶片缺货问题已获纾解，路由器等网通终端装置出货动能转强，DDR3因供不应求，价格续涨至近二年新高，法人预期将明显推升晶豪科营收及毛利率表现，并乐观预估今年获利可望赚逾二个股本。

晶豪科公告去年第四季合併营收季减14.4％达58.55亿，较前年同期成长33.2％；平均毛利率季减5.4个百分点达38.9％，较前年同期提升25.1个百分点；营业利益季减32.5％达14.58亿，与前年同期相较成长逾5.6倍；归属母公司税后净利季减40.5％达11.33亿元，与前年同期相较成长逾3.5倍，每股净利4.04元。

晶豪科公告去年合併营收238.45亿，较前年成长56.2％，毛利率年增19.2个百分点达36.6％，营业利益58.75亿，与前年相较成长近4.1倍，归属母公司税后净利49.76亿，较前年成长逾3.6倍，每股净利17.76元。晶豪科去年合併营收、营业利益、税后净利同创歷史新高，董事会已决议每普通股拟配发8元现金股利。

随着利基型DRAM合约价在第一季止跌回升，晶豪科公告2月合併营收月减7.8％达15.64亿元，较去年同期成长9.4％，累计前二个月合併营收32.60亿元，较去年同期成长6.5％。法人预期第一季营收将优于去年同期，随着利基型DRAM及NOR Flash出货增加及价格看涨，第二季营收将明显回升，营收可望逐季成长到下半年。

晶豪科去年利基型DRAM主要採用力积电38奈米制程生产，今年与力积电签订长约中增加预订更多25奈米产能。由于25奈米制程生产的平均DRAM成本可望较38奈米下降逾30％，随产能逐季开出，配合利基型DRAM价格上涨，特别是缺货严重的2Gb DDR3，法人看好将推升晶豪科营收及毛利率表现。

根据市调机构集邦科技研究显示，韩国DRAM厂积极将旧制程产能移转生产CMOS影像感测器（CIS），包含三星及SK海力士都已逐步减产DDR3，且将陆续结束DDR3相关产品生产周期（EOL），集邦预期在DDR3位元供给快速下滑情况下，预估第二季价格止跌回升并上涨0～5％幅度。