汉磊、嘉晶 订单满到Q4

受到半导体产能短缺影响，今年全球功率半导体市场依然供不应求，其中又以车用金氧半场效电晶体（MOSFET）及第三类宽能隙（WBG）半导体的需求最为强劲。受惠于电动车及5G基地台等新需求拉动，上游IDM厂扩大释出委外代工订单，汉磊（3707）及嘉晶（3016）已启动大扩产计画，在手订单满到第四季，乐观看待今年营运续创歷史新高。

汉磊及嘉晶受惠于产能利用率满载及调涨价格，去年营运大幅好转。汉磊去年合併营收72.69亿元，归属母公司税后净利2.32亿元由亏转盈，每股净利0.73元。嘉晶去年合併营收50.43亿元，归属母公司税后净利年增近14倍达3.81亿元，每股净利1.35元。

受惠于国际IDM厂扩大释出功率半导体晶圆代工及磊晶硅晶圆委外代工订单，汉磊前二个月合併营收年增28.1％达13.73亿元，嘉晶前二个月合併营收年增31.1％达9.70亿元，同步改写歷年同期歷史新高。汉磊及嘉晶今年预期功率半导体业务持续成长，其中车用MOSFET订单最为强劲，至于氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）等第三类半导体订单能见度更已看到年底。

汉磊今年持续优化产品组合，锁定第三类半导体、快速回復二极体、车用MOSFET等技术平台，今年营收占比将拉升至六成至七成，2～3年内将超过八成。汉磊看好电动车长期发展趋势，对GaN及SiC需求呈现倍数成长，今年资本支出达3,500～4,500万美元扩充产能，GaN产能将增加至去年底的2倍，SiC产能将提高至去年底的3倍，希望在2024年时可提高到去年底的5～7倍。

嘉晶同样看好电动车、5G基地台、资料中心等应用将带动功率半导体及第三类半导体的磊晶强劲需求，至2024年的资本支出合计将达4,000～5,000万美元，主要用于增加GaN及SiC磊晶产能，包括SiC磊晶产能达去年底的7～8倍，GaN磊晶产能达去年底的2～2.5倍。

汉磊及嘉晶在第三类WBG半导体的进度超前同业，以汉磊6吋SiC晶圆代工为例，去年已取得逾15家客户、超过50款SiC晶片设计定案。法人表示，GaN及SiC已是节能减碳趋势下的重要技术发展趋势，随着中国官方积极扶植第三类半导体产业，欧美IDM厂积极布局电动车及太阳能系统GaN及SiC元件市场，汉磊及嘉晶在手订单能见度已看到第四季。