高永中指出，随物联网、5G持续快速发展，加上疫情后全球对云端作业需求加重，因此带动全球高频光纤网路加快增速增覆盖。而5G的基础建设及高频光纤网路中最重要的基本元件，就是磷化铟的异质结双极电晶体（HBT）、晶片光接收器（PIN）和雪崩式光接收器（APD），在市场需求强劲下，这三项高毛利产品带动英特磊第一季获利突飞猛进。
英特磊在研发方面，专注于氮化镓（GaN），高掺杂氮化镓二次生长也是未来公司重要的成长动能。高永中说，所谓二次生长（regrowth）是指在GaN磊晶元件上再以MBE技术生长高掺磊晶可提升产品效能。
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