英特尔4奈米 同功耗效能增20％

英特尔表示，Intel 4于鳍片间距、接点间距、低层金属间距等关键尺寸，持续朝向微缩的方向前行，并同时导入设计技术偕同最佳化，缩小单一元件的尺寸。透过鳍式场效电晶体（FinFET）材料与结构上的改良提升效能，Intel 4鳍片数量从Intel 7高效能元件库的四片降低至三片，能够大幅增加逻辑元件密度，并缩减路径延迟和降低功耗。

英特尔说明，Intel 7已导入自对准四重成像技术（Self-Aligned Quad Patterning，SAQP）和主动元件闸极上接点（Contact Over Active Gate，COAG）技术来提升逻辑密度。前者透过单次微影和二次沉积、蚀刻步骤，将晶圆上的微影图案缩小四倍，且没有多次微影层迭对准的问题。

后者则是将闸极接点直接设在闸极上方，而非传统设在闸极的一侧，进而提升元件密度。Intel 4更进一步加入网格布线方案（gridded layout scheme），简单化并规律化电路布线，提升效能同时并改善生产良率。

随着制程微缩，电晶体上方的金属导线、接点也随之缩小，导线的电阻和线路直径呈现反比，如何维持导线效能抑是需要克服的壁垒。

Intel 4採用新的金属配方称之为强化铜（Enhanced Cu），使用铜做为导线、接点的主体，取代Intel 7所使用的钴，外层再使用钴、钽包覆。此配方兼具铜的低电阻特性，并降低自由电子移动时撞击原子使其移位，进而让电路失效的电迁移（electromigration）现象，为3奈米Intel 3制程和未来更先进制程打下基础。

在极紫外光（EUV）微影技术部份，英特尔不仅在现有解决方案中的最关键层使用EUV，而且在Intel 4的较高互连层中使用EUV，以大幅度减少光罩数量和制程步骤。

其降低制程的复杂性，亦同步替未来制程节点建立技术领先地位及设备产能，英特尔将在这些制程更广泛地使用EUV，更将导入全球第一款量产型高数值孔径（High-NA）EUV系统。