李在镕特赦后投资第一枪 三星研发半导体 狠砸4,954亿

刚获得特赦的三星电子副会长李在镕19日出席在京畿道器兴园区举行的下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。三星电子计划到2028年对该园区投资约20兆韩元（约台币4,954亿元）。

这是三星电子自2014年以来时隔八年在国内新建研发中心，该研发园区总面积约10.9万平方公尺，将主管NAND快闪记忆体、晶圆代工、系统新片等新技术研发。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体品质。

专家指出，李在镕出席动工仪式意在凸显其对技术的高度重视，强调只有拉开「超级差距」才能生存下来。

李在镕当天表示，三星的器兴半导体厂破土动工已过40年，今天在此再次开始新的挑战。没有对研发的大胆投资就不会有如今的三星半导体，让我们秉承「重视技术、先驱投资」的传统，以前所未有的全新技术创造未来。

当天在器兴园区之后，李在镕又前往华城的半导体厂，视察半导体业务。这是李在镕在光復节获特赦重返经营一线后的第一个公开日程。李在镕在15日光復节获得总统特赦并恢復经营权，前两天已前往三星电子总部听取经营一线业务报告。

7月底美媒报导，三星电子考虑未来20年投资近2,000亿美元，在美国德州设立11座晶圆厂。其中两座将座落于奥斯汀（Austin），其他九座位于泰勒市（Taylor），两地的投资额分别约250亿美元和1,700亿美元。

三星并表示，若确定要推进投资计画，部分晶圆厂最快2034年左右就可投产，另一部分也会在后续十年启动生产。

但三星当时强调，尚未有具体设厂计画，上述投资提案仅为三星长期规划过程的一部分，以评估在美国设立更多晶圆厂的可行性。

三星目前在韩国有三座晶圆厂，德州奥斯汀和中国各有两座工厂。去年还宣布将斥资170亿美元在德州泰勒市建立先进晶圆厂，目前新厂已动工，预计2024下半年投产。