提升SoC效能 爱普＊ 硅电容获客户验证

爱普*新一代S-SiCapTM Gen3超越传统电容，电容密度更高、更薄、应用更多元，可搭配先进封装制程，大幅提升SoC效能，在目前市场上极具优势。

该产品具备超高电容密度及超薄（＜100um薄度）等优势，可在先进封装制程中与系统单晶片（SoC）进行弹性客制化整合，满足客户在高阶手机及高效能运算（HPC）晶片的应用需求。

爱普*的S-SiCapTM，使用先进的堆迭式电容技术（Stack Capacitor）开发，相比传统深沟式电容技术（Deep Trench Capacitor）的电容密度更高、体积更小更薄，且具有极佳的温度与电压稳定性。

S-SiCapTM Gen3的电容值密度可达2.5uF／mm2，操作电压最高可支援1.2V，同时具有相当低的等效串联电感（Equivalent Series Inductance）及等效串联电阻（Equivalent Series Resistance），在高频操作下能提供优异的稳压能力。

S-SiCapTM具有超薄、客制化尺寸的特色，在先进封装制程中，能满足多样整合应用，并且与SoC更接近。

例如：接脚侧硅电容（S-SiCapTM on the landside）、封装基板内埋硅电容（S-SiCapTM embedded in package substrate）、2.5D封装应用硅电容（S-SiCapTM for 2.5D packaging）、硅电容中介层（S-SiCapTM in an interposer）等。