与前几代产品相比,採用新一代CoolSiC的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗,并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率,以进一步增加电动汽车的续航里程。
而在再生能源领域,採用新技术的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸,进而降低每瓦成本。
英飞凌指出,透过高效的方式来产生、传输及消耗能源已是目前趋势,为此,英飞凌开发新一代SiC MOSFET沟槽式技术,使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更精简、性能更可靠,且效率更高的系统,以满足光伏、储能、直流电动汽车充电、马达驱动和工业电源等功率半导体应用领域。
英飞凌持续拓展化合物半导体布局,除了强化其在SiC的技术发展之外,日前也宣布与太阳能系统开发商Worksport合作,共同利用氮化镓(GaN)降低可携式发电站的重量和成本。
在採用GaN电晶体后,Worksport可携式发电站的功率转换器将变得更轻、更小,系统成本也将随之降低。
另外,为进一步提升成长动能,英飞凌也调整组织结构,其业务团队围绕三个以客户为中心的业务领域进行架构,分别为汽车业务、工业与基础设施业务,以及消费、计算与通讯业务;新的组织架构以客户的应用需求为中心,已于全球施行同时优化区域布局。
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