三星电子21日抛人事震撼弹,任命副董事长全永铉(Young Hyun Jun)担任半导体事业负责人,凸显三星欲强化半导体业务和竞争力,致力在人工智慧(AI)晶片竞赛中取得领先优势。

三星21日股价收低0.6%,报78,400韩元。

三星宣布,全永铉将接替现任晶片部门负责人庆桂显(Kyehyun Kyung),担任设备解决方案部门新负责人,掌理半导体业务。

三星表示,公司的目的是在「全球商业环境不确定下,强化自身的竞争力」,并称全永铉在领导三星记忆体和电池制造部门拥有丰富经验。全永铉曾是三星集团旗下电池事业三星SDI执行长,和三星记忆体晶片业务前负责人。

三星在声明稿表示,全永铉是将三星记忆体晶片和电池业务提升至全球水准的关键人物。期待全永铉凭藉着丰富的管理经验,战胜半导体危机。

庆桂显则接手原先由全永铉负责的未来事业部门,该部门专注于开发新成长机会,以及管理三星先进技术研究院(SAIT)。

三星与劲敌SK海力士(SK Hynix)正展开激烈竞争,致力生产最先进的记忆体晶片,在这波AI狂潮受惠。三星、SK海力士与美光(Micron)为全球三大记忆体晶片制造商。

SK海力士在高频宽记忆体(HBM)晶片领域处于领先地位,并且是AI晶片龙头辉达(NVIDIA)的HBM3晶片独家供应商。不过据传辉达也在考虑让三星成为供应商。

晨星(Morningstar)股票研究部门主管伊藤和典(Kazunori Ito)在报告中指出,预期HBM晶片竞争将在2025年加剧。至于HBM3,SK海力士是辉达的独家供应商,相信SK海力士与三星之间存在几季的技术落差。

SK海力士计划在第三季量产最新一代的12层HBM3E,而三星致力在第二季开始量产,成为业界第一家量产HBM3E的企业。伊藤和典表示,「此举意味着三星快速拉近技术差距。我们预期三大记忆体晶片制造商都将能够出货HBM3E给辉达,进而加剧价格竞争。」

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