抗台积 三星要用4奈米产HBM4

《韩国经济日报》报导，三星电子为了在AI市场扳回一城，打算以4奈米制程量产第六代HBM4高频宽记忆体晶片，结合自家晶片设计与代工制造的优势，来对抗SK海力士与台积电结盟势力。

据了解，三星将使用4奈米制程来量产第六代HBM4晶片的逻辑晶粒（logic die），也就是HBM晶片堆迭的底层，是HBM晶片的核心元件。

目前为止，三星、SK海力士及其他记忆体晶片大厂在生产最新HBM3E晶片时，都自行包办所有元件生产，但第六代HBM4晶片需要依照客户需求进行客制化，因此以先进制程生产逻辑晶粒才能让HBM4晶片包含更多客制功能。

4奈米制程是三星目前主打的先进制程，良率超过70％。三星旗舰AI手机Galaxy S内建的核心晶片Exynos 2400就是採用4奈米制程生产。

目前三星採用10奈米制程生产HBM3E，因此外界原先预期三星会採用7奈米或8奈米制程生产HBM4逻辑晶粒。三星7奈米制程自2019年开始营运，技术趋近成熟。

消息人士表示虽然4奈米制程成本较高，但晶片性能和功耗也更上一层楼，因此三星决定靠4奈米制程来与SK海力士及台积电一较高下。

目前在AI加速器市场握有80％以上市占率的辉达，由SK海力士独家供应第四代HBM3晶片。今年4月SK海力士和台积电签订合作备忘录，联手优化HBM产品与CoWoS技术融合，预期在2026年量产HBM4。

三星发言人表示：「三星与台积电、SK海力士不同，因为我们有自家晶片设计师参与HBM4生产，形成独特的优势。」

但SK海力士也不甘示弱，据传近日已决定和台积电在原先规划的12奈米制程外，额外增加5奈米制程来生产HBM4逻辑晶粒。