涉专利侵权 长江存储告美光

中美晶片战愈演愈烈下，中国正试图透过专利战作为谈判筹码。外媒披露，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加州，再度对美国记忆体大厂美光（Micron）提起诉讼，指控美光侵犯其涉及3D NAND Flash及DRAM产品的11项专利。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的记忆体产品，同时支付专利使用费。

综合外媒20日报导，2016年底在武汉成立的长江存储是中国记忆体（DRAM）与快闪记忆体（NAND Flash）制造大厂，获得「大基金」巨资支持，成为中国打造本土晶片供应链代表性企业。但美国商务部在2022年10月将长江存储列入实体清单，使得其无法从美国企业获得先进设备来制造128层及以上的3D NAND晶片。

在遭到美方出口管制前，长江存储的128层3D NAND 晶片产品已经打入苹果供应链，并获得苹果的技术和品质认证。当时苹果希望採用其晶片，除了成本考量，也防止快闪记忆体过度集中在三星、SK海力士、美光手上。

报导称，长江存储本次指控表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash，以及一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列），侵犯长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，去年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司提起诉讼，指控它们侵犯其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。另外，今年6月7日，长江存储还在美国加州提起诉讼，指控受到美光资助的丹麦谘询公司Strand Consult散布虚假讯息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

市场人士表示，近年中国科技实力大幅提升，企业并积极在海内外申请专利，而且在中国政府支持下，也开始频打专利权官司，去年中国法院就收到5,062件技术类智财权和垄断案。长江存储试图通过专利反击美光，应是藉此获取对抗美国政府打压的筹码，而非是告倒对方或藉此拿钱，「止战」才是真正目的。