大突破 陆制DUV光刻机 可生产65奈米以下晶片

荷兰政府近日才提高产业巨头艾司摩尔（ASML）旗下两款先进制程曝光机设备的出口限制，被认为是针对中国大陆而设。大陆在曝光机研发的最新进展，无异是为相关领域打了一剂强心针。

新浪财经报导，上述通知目录中的「积体电路生产装备」项目，列出了氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。

工信部资讯显示，氟化氩光刻机使用波长为193奈米的雷射作为光源，具备极高的解析度（小于或等于65奈米）和精准的套刻精度（小于或等于8奈米），可用于制造先进制程的晶片。

芯智讯引述专家指出，氟化氪光刻机是老式的248奈米光源的KrF光刻机，解析度为小于或等于110奈米，套刻精度小于或等于25奈米；氟化氩光刻机则是193奈米光源的ArF曝光机（也被称为DUV曝光机），但披露的这款依然是乾式DUV曝光机，而非更先进的浸没式DUV曝光机（也被称为ArFi曝光机）。

从官方披露的参数来看，该DUV曝光机解析度为小于或等于65奈米，套刻精度小于或等于8奈米。虽然相比之前上微的SSA600曝光机有所提升（解析度为90奈米），但是仍并未达到可以生产28奈米晶片的程度，更达不到制造8奈米、7奈米晶片的程度。

另外，消息指出，大陆国产氟化氩光刻机的研发，主要由中微半导体、上海微电子装备集团进行研发，中国科学院微电子研究所也有重要贡献。上海微电子曾完成大陆首台氟化氩（ArF）光刻机研制，并实现产品流片，且在2023年初，市场就传出上海微电子已在着手研发第二代浸没式曝光机。