DeepSeek崛起 记忆体空头可望提早结束

DeepSeek推动记忆体需求，记忆体产业空头行情有望提早结束。业界指出，记忆体原厂三星、SK海力士及美光已拟定第二季价格策略，预期DRAM现货价已接近底部，合约价仍有小跌空间，但第二季反弹机会大增。

市场法人分析，DeepSeek带来的效益，亦将惠及力成、群联、宜鼎、威刚、宇瞻、创见、旺宏、华邦电、南亚科等台厂，并带动伺服器与AI硅智财产业。

据了解，记忆体原厂美光、三星等拟拉抬DRAM价格，规划自2025年第二季起调涨，而NAND价格亦随库存去化，逐步回稳。

记忆体产业短期仍面临供过于求挑战，但原厂价格调涨势在必行，第二季将成为转折点。由于DRAM供应受限于高频宽记忆体（HBM）产能排挤效应，NAND则受惠原厂减产与需求回温，在原厂极力调控供给下，酝酿第二季涨价的条件 。

业者指出，目前记忆体价格仍受AI伺服器与AI PC需求推动，DeepSeeK低成本运算模型出现，若促使企业更快导入AI伺服器，进一步推广AI模型的普及化，可能延长记忆体价格上涨周期。

业者预期，在DRAM部分，DeepSeek若带动AI Edge需求，可能使2025年DDR5需求超预期，价格持稳或温和上升。若AI伺服器需求成长加速，将支撑高频DDR5伺服器级记忆体价格。

在NAND部分，AI PC需更大容量的SSD，但NAND Flash供应增加（如长鑫存储扩产），可能抵销部分涨幅。若AI需求进一步成长，2025年NAND价格有望维持小幅上涨趋势。

法人认为，在台厂部分，力成作为美光主要的HBM代工伙伴，受惠HBM2E／3E生命周期延长，并可能承接更多封装代工订单。

旺宏、华邦电则受惠DeepSeek推动AI设备普及，未来AI功能将进入PC、智慧型手机，带动DRAM搭载容量的成长，同时也将提升高密度 NOR Flash需求。

未来AI PC与手机导入AI计算，可能带动DRAM搭载容量增加，有利于DRAM制造大厂南亚科、华邦电。