NAND Flash市况 有望6月復甦

NAND Flash控制晶片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。

苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始坚守价格，避免市场陷入低迷行情。

他强调，供应商根据市场状况自然调节供给，是NAND Flash供需好转的主因之一，2025年NAND Flash位元供给，估计将增加上看20％。

美国商务部对出口至中国大陆的记忆体制造设备实施管制，也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。

儘管中国大陆部分记忆体业已经提前採购设备，但是参数校正、设备维护与修缮的挑战，将压抑陆厂传统DRAM产品产能快速扩充。

因此，上游原厂为维持价格稳定，积极调整产能，尤其在NAND Flash领域，减产动作更为明显，使得价格走势相对乐观。

从需求端来看，苟嘉章对下半年市场持乐观态度。他认为，工业应用市场沉寂许久，预期需求将由工控市场规格升级带动，消费性需求则紧随其后。

其中，手机市场在中国大陆补贴政策与新兴技术的推动下，需求优于预期。

苟嘉章分析，AI技术快速发展为记忆体产业带来新动能，DeepSeek等语言模型开发，使得企业发展AI不再完全依赖传统辉达的CUDA架构，将加速边缘AI技术的落地应用。

此外，AI应用正从PC延伸到手机，例如腾讯已引入DeepSeek，加速产品创新并缩短开发周期。他预期，2026年手机品牌在AI应用上将百花齐放，进一步推动记忆体需求增长。

慧荣正积极开发4nm的PCIe 6.0 SSD主控晶片。该产品计划整合先进安全功能，并支持下一代3D TLC与3D QLC NAND闪存技术。

苟嘉章透露，该项目2026年完成设计定稿（Tape out），将成为慧荣未来两年的主力产品。