记忆体价格Q2起涨 台链乐

记忆体产业在AI需求与原厂减产推动下，自第二季起进入卖方主导时代！美光全面涨价与HBM市场扩张成为关键催化剂，带动DRAM与NAND价格回升，下半年旺季涨幅更上看15％～20％。

展望2026年，HBM4与Edge AI商机将持续推升供需紧张，南亚科（2408）、华邦电（2344）、群联（8299）、威刚（3260）、宜鼎（5289）等业者可望乘势成长，产业迎来新一轮上升周期。

美光近日发布亮眼财报并乐观展望后，随即向供应链发函宣布全面涨价，涵盖所有产品领域。

此举不仅针对通路现货价格，甚至尚未议价完成的合约订单也将自涨价日起调升。若需求超量，美光可能进一步加价或收取急单费用。

业界指出，过去记忆体价格多随市场供需波动调整，此次为记忆体原厂罕见採取全面涨价策略，显示自2025年第二季起，AI应用需求正推动记忆体产业脱离传统周期循环，进入由卖方主导的时代。

记忆体厂商持续减产的效果也逐渐显现，Sandisk、美光与陆厂长江存储已宣布涨价幅度超过10％，而三星、SK海力士与KIOXIA也将跟进调涨步伐。

需求端方面，受惠中国消费刺激政策，PC与手机DRAM及NAND库存由2024年高点的10～12周，已回落至正常水准，约7.5周，电竞高阶PC需求亦逐步回温。

研调机构因而上修第二季预估，DRAM现货与合约价季增幅提升至3％～5％，NAND现货价季增0％～3％，NAND现货价初期涨幅温和，后续随减产加剧加速；下半年因进入传统旺季，涨幅上看15％～20％。

HBM是记忆体市场另一成长动能，美光上修HBM规模（TAM）至350亿美元，产品由从HBM3e-8Hi转向更高频宽的HBM3e-12Hi，产能提升加速供应，推升DRAM价量。

展望2026年，HBM4增加DDR5投片需求，加剧供需紧张。同时，原厂减产DDR3与DDR4效应也逐渐显现，南亚科、华邦电等台厂，将因DDR3／DDR4减产而受惠。