Q3报价谈判启动 记忆体供应链吃紧 报价看涨

根据TrendForce调查，2025年DRAM整体位元产出将年增约25％，但若排除HBM产品，一般型DRAM位元年增幅约20％，其中，三星、SK海力士及美光三大原厂成长幅度仅15％，反映产能资源向HBM倾斜。

HBM成为AI伺服器核心零组件，供应持续吃紧，特别是HBM3e更面临严重短缺，推升报价动能。

在一般型DRAM部分，2025年供应预期充足，若需求未如预期復甦，部分产品价格恐面临回檔压力。

惟从近期供需状况来看，产业界人士观察，LPDDR4X现货供应趋紧，报价再度上扬；高规格DDR4如16Gb 3200与8Gb 3200价格也已上调至每颗6.40与3.20美元。通路端则进入高檔盘整阶段，出现「有价无市」、交期延长的现象，买气转弱。

另一方面，NAND Flash市场在原厂减产策略发酵下，供需逐步改善。中国大陆「以旧换新」政策，有效刺激智慧手机销量，加快库存去化。

市场也观察到256Gb NAND停产后，512Gb产品询问度快速上升，小容量嵌入式Flash需求转向高容量eMMC与eMCP产品。

企业端储存需求则随辉达（NVIDIA）于下半年扩大Blackwell系列出货而走强，加上DeepSeek技术降低AI伺服器建置门槛，带动中小企业导入AI动能，有利存储需求。

30TB以上Enterprise SSD具备高效能与成本优势，有望成为中小型企业优先採购项目，进一步推升SSD整体需求。

儘管部分QLC NAND如1Tb晶圆价格略有松动，下修至每片5.05美元，但整体NAND报价仍平稳。

部分工业与海外PC客户已接受记忆体与SSD价格上调，仅品牌厂商备货意愿略为观望。

市场普遍预期，第三季记忆体价格将延续高阶产品强势、中低阶产品分歧的走势，整体产业仍朝正向循环迈进。