3D快闪记忆体逐渐成为新一代记忆体主流,各家供应商纷纷积极转进3D快闪记忆体,模组厂威刚与创见也同步新推出搭载3D快闪记忆体的固态硬碟,争食市场商机。

创见指出,为提升记忆体容量,2D平面NAND Flash技术以缩小每个储存单元的方式,增加同一层储存密度,只是这种制程微缩技术已接近物理极限,且储存密度提高,同时带来资料间相互干扰,降低可靠度。

3D储存型快闪记忆体(NAND Flash)技术则改採垂直立体堆迭储存单元方式来扩增容量,创见表示,不但突破容量上限的瓶颈,也因少了复杂的演算法防止资料错误,大幅提升读写效能,并具备高耐用度及低耗电特性。

顺应市场发展趋势,创见推出首款搭载3D NAND Flash的2.5吋固态硬碟(SSD),连续读写速度可达每秒560MB及520MB,并搭载DDR3 DRAM快取记忆体,4K随机读写速度每秒可达340MB,可缩短常用程式载入时间与加速小檔案传输,提升开机效率,适用为开机碟。

威刚更将3D NAND Flash导入全线消费型与工业级固态硬碟,已陆续推出採用3D NAND Flash的2.5吋固态硬碟Ultimate SU800与M.2 2280版本固态硬碟。

威刚指出,两款固态硬碟读写速度除可达每秒560MB及520MB,日常运作时还可比传统硬碟省电80%,待机休眠省电模式下,耗电量更只有传统硬碟的8%。

相较採用2D NAND Flash的固态硬碟平均无故障间隔为150万小时,威刚表示,採用3D NAND Flash的固态硬碟平均无故障间隔高达200万小时,更加耐用可靠。1051113

(中央社)

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