创见指出，为提升记忆体容量，2D平面NAND Flash技术以缩小每个储存单元的方式，增加同一层储存密度，只是这种制程微缩技术已接近物理极限，且储存密度提高，同时带来资料间相互干扰，降低可靠度。
3D储存型快闪记忆体（NAND Flash）技术则改採垂直立体堆迭储存单元方式来扩增容量，创见表示，不但突破容量上限的瓶颈，也因少了复杂的演算法防止资料错误，大幅提升读写效能，并具备高耐用度及低耗电特性。
顺应市场发展趋势，创见推出首款搭载3D NAND Flash的2.5吋固态硬碟（SSD），连续读写速度可达每秒560MB及520MB，并搭载DDR3 DRAM快取记忆体，4K随机读写速度每秒可达340MB，可缩短常用程式载入时间与加速小檔案传输，提升开机效率，适用为开机碟。
威刚更将3D NAND Flash导入全线消费型与工业级固态硬碟，已陆续推出採用3D NAND Flash的2.5吋固态硬碟Ultimate SU800与M.2 2280版本固态硬碟。
威刚指出，两款固态硬碟读写速度除可达每秒560MB及520MB，日常运作时还可比传统硬碟省电80%，待机休眠省电模式下，耗电量更只有传统硬碟的8%。
相较採用2D NAND Flash的固态硬碟平均无故障间隔为150万小时，威刚表示，採用3D NAND Flash的固态硬碟平均无故障间隔高达200万小时，更加耐用可靠。1051113
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