因美光(Micron)桃园厂跳电意外,带动DRAM现货价提前于12月开始涨价,业界预期将带动明年第1季合约价止跌甚至小涨,DRAM模组厂亦可望受惠涨价效益,今以威刚(3260)、十铨(4967)领军上攻,低价的商丞(8277)也强攻涨停9.99元。

据市调机构集邦科技统计,12月以来,记忆体综合价格指数(DXI)已大涨逾二成,并预期明年第1季合约价止跌。除了制造厂南亚科直接受惠,下游的DRAM模组厂亦可受惠涨价效应。

据集邦科技观察,美光(Micron)桃园厂跳电意外,带动DRAM现货价提前于12月开始涨价,加上年底及农历年补货需求升温,推升DRAM现货价走扬,12月来现货价涨幅达1至2成。据集邦科技统计,12月来DXI已攀升26%。集邦预期,明年第1季在市场供需趋于健康,DRAM合约价也将止跌回稳,不排除有机会微幅上涨。

整体来看,今年从9月华为拉货事件后,DRAM供需已开始接近平衡,从12月初开始现货市场已开始涨价。

不过,集邦科技预期,2021年第一季NAND Flash仍供过于求,估季跌幅约10~15%。

业者则认为,2021年第一季NAND Flash现货市场有机会因终端需求增加,可能有短暂止跌或小涨状况发生。

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