台积电2奈米制程将在2023年风险试产,但蓝色巨人IBM抢先在6日发表全球首创2奈米晶片制程技术,外界担忧是否威胁台积电晶圆代工霸主地位,专家指出,IBM採用全新环绕闸极(GAA)架构,可望加速GAA量产时程,也可能给台积电带来竞争压力,不过无法撼动晶圆代工龙头地位。

路透报导,IBM全球首推2 奈米制程晶片,约500亿个电晶体放入指甲大小晶片,估算电晶体密度约每平方公厘 3.33 亿个电晶体(MTr /mm²)。相较于目前许多笔电和智慧型手机的主流7奈米晶片,2奈米晶片速度快45%,节能效率提高75%。

IBM指出,2奈米制程晶片採用环绕闸极(GAA)技术,比最先进5 奈米制程晶片面积更小,运算速度更快,预计到2024年底或2025年才会投产,儘管无助于目前全球晶片供货短缺问题,却意谓IBM在制程技术上取得重大突破,也备受各界关注。

中央社报导,工研院产科国际所研究总监杨瑞临表示,台积电3奈米制程仍持续採用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,2奈米将改採GAA架构,随着IBM验证了GAA的可行性,预料台积电也将加速2奈米制程开发与量产进度。

杨瑞临认为,IBM成功验证GAA架构的可行性,可望加速三星与台积电GAA技术开发,并带动相关生态系厂商加速发展,对半导体产业而言是件大事,也可能给台积电带来竞争压力,但台积电客户多元,有助于缩短学习曲线、加速提升良率及降低成本,不至于撼动其晶圆代工霸主地位。

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