从先进制程来看，至2023年台积电将持续领先三星与英特尔，三星虽有意率先量产环绕式闸极场效电晶体（Gate-All-Around FET，GAAFET），但生产技术掌握度、材料与设备配套完善度、客户採用意愿等，都是三星如期量产GAAFET的变数。至于先进封装部分，三家皆有2.5D封装量产经验，但英特尔3D先进封装已有量产经验，发展进程相对领先。
值得一提的是，英特尔「IDM 2.0」战略虽使台积电、三星及英特尔的竞争局势更趋复杂，然考量战略效益仍有疑虑，DIGITIMES Research分析师陈泽嘉预估，台积电可望延续竞争优势。另外，在区域竞合态势升温的背景下，欧、美等国有意加强半导体制造本土化政策，将成台积电、三星与英特尔在竞争优势维持与策略布局的重点考量。
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