美光宣布业界首款176层QLC NAND SSD量产

延续先前所发布的业界首款176层TLC NAND，美光的创新176层QLC NAND快闪记忆体提供QLC中前所未有的层数和容量。相较于前一代解决方案，新款176层QLC NAND I/O流通量提升33％，读取延迟则降低最高达24％幅度。其採用的替换闸（Replacement Gate，RG）架构是现有唯一结合电荷捕捉（Charge Trap）架构与CuA（CMOS under the Array）设计量产的QLC NAND。这些改进将有助于用客户端电脑市场加速导入QLC SSD，预计2023年时可将市占率提升两倍至突破35％，2025年时可达到将近80％。

美光企业副总裁暨储存业务事业部总经理Jeremy Werner表示，以我们在176层NAND的领导地位为基础，美光2400 SSD将推动客户端市场朝QLC储存装置转型。新的2400 PCIe Gen4 SSD能实现更广泛的设计选择和更经济实惠的容量，我们预期它将大幅加速客户端装置採用QLC，并进一步巩固美光在市场上的领导地位。