《半导体》记忆体透涨风 群联拚登月

DRAM价格自去年12月起明显回升后，儘管1月因为农历新年假期前，使得终端市场观望气氛浓厚，但综观1月现货价格，DRAM及 NAND Flash均呈现止跌回涨的表现。

业界预期，农历年后的记忆体价格走势仍可望延续一波调涨，但产业供需及市场变数难料，在首季合约价跌幅收敛下，第2季合约价走势更显得扑朔迷离。

西安封城导致三星西安厂产出受到影响，Nand Flash现货价于去年12月出现止跌，Trendforce将Nand Flash第一季合约价跌幅由-10~15%收敛至-8~13%。儘管西安城将逐步解封，对记忆体市场影响预计将减弱，不过就整个记忆体供需结构来看，上游记忆体厂库存维持健康，且逻辑晶片缺货情况逐步舒缓，预计记忆体市场受长短料调整的情况将改善，并预估记忆体于下半年反转向上。

另外，美光在上月底推出全球首款176层QLC NAND SSD正式量产出货，该产品採用最先进的NAND架构打造，可为广泛的数据密集应用提供独步业界的储存容量和最佳性能，市场看好，NAND Flash控制IC厂群联是美光控制晶片重要合作伙伴，随美光新品上市，有望带动群联营运。

产能上，群联持续积极争取，今年预计会有双位数成长，有利于营收趋势持续向上。