《科技》英特尔2奈米2024年量产 拚2025年重返领先地位

英特尔执行长基辛格（Pat Gelsinger）和经营团队，在投资人会议中分享产品和制程技术路线图细节，概述公司针对推动各部门长期发展所拟定的策略及关键要素，进一步勾勒横跨业务单位和关键里程碑的产品蓝图。

针对制程技术开发部分，英特尔表示，随着今年推出第12代Intel Core处理器和其它产品，7奈米的Intel 7制程正处于量产阶段并大量出货。採用极紫外光（EUV）微影的4奈米Intel 4制程将在今年下半年就绪量产，电晶体每瓦效能约可提升20％。

而3奈米的Intel 3制程除具备额外功能，并提供额外18％的每瓦效能，将于2023下半年就绪量产。2奈米的Intel 20A制程提供最高15％的每瓦效能改善，预计2024上半年就绪量产。1.8奈米的Intel 18A制程提供额外10％改善，预计2024下半年就绪量产。

封装技术方面，英特尔将开始出货具领先封装技术地位的Sapphire Rapids和Ponte Vecchio，并开始风险试产Meteor Lake。在Intel Accelerated活动所揭露的先进封装技术Foveros Omni和Foveros Direct，将于明年就绪量产。

英特尔目标在2025年前重回电晶体每瓦效能的领先地位，并表示持续不断创新为摩尔定律的基石，认为创新没有尽头，因此摩尔定律不会终止，希望在这个10年结束前，在单一装置内提供大约1兆个电晶体。