英特磊Q1每股赚1.16元 年成长暴增22倍

高永中指出，随物联网、5G持续快速发展，加上疫情后全球对云端作业需求加重，因此带动全球高频光纤网路加快增速增覆盖。而5G的基础建设及高频光纤网路中最重要的基本元件，就是磷化铟的异质结双极电晶体（HBT）、晶片光接收器（PIN）和雪崩式光接收器（APD），在市场需求强劲下，这三项高毛利产品带动英特磊第一季获利突飞猛进。

英特磊在研发方面，专注于氮化镓（GaN），高掺杂氮化镓二次生长也是未来公司重要的成长动能。高永中说，所谓二次生长（regrowth) 是指在GaN磊晶元件上再以MBE技术生长高掺磊晶可有效提升产品效能，目前主要应用在国防、通讯及5G相关射频（RF）GaN HEMT磊晶片，其优势在于磊晶品质佳且价格相对低，可大幅为客户降低成本。新的趋势是八英寸GaN／Si也开始考虑使用这种二次生长，市场需求相当乐观。

法人表示，从公司目前在手订单及市场需求量来看，不仅高毛利产品比重增加，氮化镓二次生长也相当受到客户欢迎，公司亦表示下半年有增加机台的打算，整体而言，英特磊今年的营运表现相当值得期待。