新装置导引弹性更高的主动波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技术，可以简化射频输出调整过程，便于优化过衝和下衝问题。射频调整操作容易，先在支援的图形界面软体上修改暂存器设定，接着利用示波器进行快速验证。这项技术简化了EMVCo 3.1a和NFC Forum CR13规范认证，而无须处理天线匹配问题。
ST25R3916B和ST25R3917B可提供高达1.6W的射频输出功率，且能高效地直接驱动天线。动态输出功率（Dynamic Power-Output，DPO）调整技术让设计人员能够将辐射功率控制在EMVCo和NFC Forum规范定义的上限与下限间。
ST25R3916B／17B整合高抗噪输入结构和意法半导体专有之杂讯抑制接收器（Noise-Suppression Receiver，NSR），其具有很高的抗干扰能力，防止附近的电源、POS终端机等设备干扰晶片运作。这两款装置对辐射噪声和传导杂讯具备很高的抗干扰能力。
ST25R3916B／17B晶片的电源电压范围2.4V至5.5V，工作温度范围则为-40°C至105°C。 外围I/O电路的最低工作电压是1.65V。
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