南韩大厂三星7月抢先量产3奈米制程晶片,却传出良率不超过 20%,根据韩媒《Naver》报导,三星已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作,希望藉此提高晶片在生产过程中的良率,能超车劲敌台积电。
报导指出,三星过往4奈米和5奈米制程都存在良率相关的问题,包括三星代工厂制造的高通旗舰处理器Snapdragon 888、Snapdragon 8 Gen1都过热,三星因此痛失大客户,像是高通新款 Snapdragon 8 Gen 2全数独家由台积电拿下,辉达RTX 4000系列GPU也以台积电5 奈米制程技术量产。
三星不希望3奈米制程又出现上述这种情况,因此正扩大与Silicon Frontline Technology的合作关系。报导提到,Silicon Frontline Technology 提供晶片资格评估和静电放电 (ESD) 预防技术,ESD是导致半导体晶片缺陷的一大原因,防止或减少ESD将有助于提高晶片良率。
报导称,三星将Silicon Frontline Technology技术应用于晶片设计和生产过程中,已取得令人满意的结果。三星如果设法提高先进制程的良率,结合其3奈米GAA架构,有机会与台积电一较高下,并夺回大客户订单。
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