《半导体》联电强化特殊制程战力 新28eHV+平台H1量产

联电表示，相较于公司现有28奈米eHV制程，在不影响图像画质或资料速率的前提下，新的28eHV+解决方案可降低耗能达15％。除了满足节省电池用电需求外，也以更精确的电压控制优化功能，提供工程师设计时更大的灵活性。

就eHV技术而言，28奈米是目前晶圆厂最先进制程，适用于小面板显示器驱动IC（SDDI），并广泛用于高阶智慧手机和VR/AR设备上日益普及的AMOLED面板。联电为28奈米SDDI代工龙头、市占率逾85％，自2020年量产以来已出货逾4亿颗IC。

联电的28eHV+技术採用业界最小的SRAM单元，进而缩减晶片面积。此平台奠基于联电领先的28奈米后闸极高介电系数金属闸极（28nm Gate-last High-K/Metal Gate）技术，具备卓越的低漏电和动态功率性能。

联电技术研发副总徐世杰表示，联电致力提供差异化的晶圆特殊制程解决方案，配合客户产品蓝图，共同掌握市场快速成长契机。目前已有几家客户洽谈使用28eHV+平台，并计画于上半年投入量产，后续将致力于将显示器驱动IC解决方案扩展到22奈米及以下制程。