路透：韩半导体名人崔珍奭否认窃取三星机密

一名遭控工业间谍罪被判刑入狱的三星电子前高层，否认他试图利用三星电子开发的敏感讯息在中国「復刻」三星晶片厂的指控。

韩国半导体业知名人物崔珍奭在给路透社的一封手写信中，详细阐述他的辩词，这是他自5月25日被关押以来首次向媒体发表评论，并表示有关西安厂的指控并未得到证实。

韩国检方6月稍早在起诉书中指控崔珍奭非法获取三星的商业机密，意图在距离中国西安三星工厂仅1.5公里的地方建造半导体厂。

崔珍奭被关押在首尔以南城市水原市一处拘留中心，三星总部就在水原市。他先前透过律师否认所有指控。

崔珍奭在信中表示，原本计划要替鸿海打造新厂，对DRAM记忆体晶片进行早期测试生产，三星西安厂生产的则是储存型快闪记忆体（NAND Flash）。

崔珍奭表示，DRAM制程技术与制造NAND快闪记忆体有30%以上的不同，DRAM制程更加复杂，而且制造这两种晶片所使用的一些设备也不同。

崔珍奭在信中表示：「他们使用不同的设备，而（三星）NAND快闪记忆体设备的设计对我们来说确实没有用处。」

路透社採访几名未参与此案的半导体业专家证实，生产NAND和DRAM的制程和使用的设备有差异，但没有具体说明。

三星以调查正在进行为由拒绝置评。