格斯科技*与中研院、台科大三方共同携手研发出可有效提高能量密度的奈米级硅包碳负极材料，格斯科技*技术长叶国伟表示，此次研究的硅基负极材料具有与传统石墨负极相比更高的理论比容量，且硅为地壳中矿物含量第二的物质，取得容易。然而，传统硅基负极材料因其较低的电子传导性和充电时高达300%的体积膨胀，在电池充放电过程中容易使极片粉碎剥落，使得其商业化面临挑战，为解决这些问题，我们採用常见的染髮剂成分含氮的对苯二胺作为碳源，并以简单的水溶液方法制备出硅包碳奈米复合材料。这种碳包硅的技术可大幅提升硅基负极材料的电子传导性，同时成功抑制了体积膨胀现象，确保高效的锂离子传输。
格斯科技*表示，硅包碳负极将是比传统石墨负极更具备竞争优势的下一代负极材料，拥有优异的电化学性能并能有效提升能量密度，将成为能源储存材料的关键创新，为能源储存技术的发展带来了更多前景。
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