三星总裁暨记忆体事业部负责人Jung-bae Lee 在其部落格中写道，第九代 V-NAND 基于双层结构，层数将达到业界最高水准，将于2024年初量产。
三星正开发超过300 层的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次採用的双层堆迭技术。三星不仅证实非挥发性记忆体 已步入正轨，其层数有望超过竞争对手SK海力士。
三星2024年将推300层以上V-NAND 有望超过竞争对手
根据报导，韩国记忆体大厂三星的 V-NAND（即 3D NAND）发展计画，预期在 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 记忆体。
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