环球晶董事长徐秀兰表示,今年环球晶以更高的制程精度与更有效的晶圆处理方法成功实现碳化硅晶圆的超薄加工,碳化硅晶圆轻量化符合节能、环保。环球晶今年于展场推出6吋90μm及8吋350μm碳化硅超薄抛光晶圆。超薄碳化硅晶圆在轻量化、散热性能、热传导、高频率操作、元件微型化和材料成本等方面具有优势,是高性能半导体元件的理想选择。
碳化硅晶体因需于极高温的密闭环境下生长,长晶炉的热场设计及坩埚材质等因素增加了设备和操作的复杂性。环球晶圆自主设计开发碳化硅专用的长晶炉,在实现更高的材料品质控制的同时进一步降低长晶成本。藉由卓越的技术控制、生产效率和持续的研究开发,环球晶圆克服碳化硅长晶的技术困难,将碳化硅(SiC)长晶成功推进至8吋,为客户提供高品质、高性能的碳化硅材料。
碳化硅高硬度与高脆性使得后续晶圆加工过程非常困难。奠基于晶圆加工的先进技术,环球晶圆以更高的制程精度与更有效的晶圆处理方法成功实现碳化硅晶圆的超薄加工,于展场推出6吋90μm 及8吋350μm碳化硅超薄抛光晶圆。超薄碳化硅晶圆在轻量化、散热性能、热传导、高频率操作、元件微型化和材料成本等方面具有优势,是高性能半导体元件的理想选择。环球晶圆的碳化硅晶圆包含4~6吋半绝缘晶片与6~8吋导电型碳化硅晶片,全方位产品可以满足客户多样化需求,多领域的应用扩展。
氮化镓异质磊晶存在诸多技术困难,例如晶格不匹配、应力和缺陷等问题,环球晶圆专注研发,成功推出全系列氮化镓异质磊晶产品,包括硅基板、碳化硅基板和蓝宝石基板等。多样的基板选择可以满足不同的需求,全方位拓展终端应用。
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