国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术

为强化我国半导体产业优势，国家实验研究院台湾半导体研究中心（国研院半导体中心）与台积电合作开发「选择器元件与自旋转移力矩式磁性记忆体整合」，于2023年12月全球顶尖电子元件会议IEDM（International Electron Devices Meeting）发表，并获选为Highlight Paper，成为全世界极少数成功开发出高密度、高容量之独立式STT-MRAM制作技术的团队。

由于STT-MRAM具备高速度、高可靠度、小体积、省电等优点，十分适合应用于云端运算与物联网上进行大量的资料储存，同时可提升人工智慧运算的学习效率与准确性，为国际半导体产学研重点发展领域。

国研院半导体中心长期透过主导或协助发表国际重点领域的指标性会议论文，与国际发展趋势接轨，将论文发表的关键半导体技术转化为培育国内硕博士级高阶研究人力的服务平台。

国研院半导体中心主任侯拓宏表示，臺湾作为全球半导体晶片制造中心，须及早储备丰沛的下世代技术开发人才库，是臺湾半导体产业链维持竞争力与价值再升级的关键。

侯拓宏提到，半导体中心更是国内相关领域的高阶硕博士研究人力培育摇篮，透过长年建立的产学合作机制及训练服务经验，接轨业界实务研发需求，建立小型多样化的类晶圆制作到电路的产品雏形验证平台，并藉此训练培育实作高阶研究人力。每年可提供50余所大学院校、超过500个教授研究团队的2000位硕博士常驻研究与训练，让国内高阶人才养成能更进一步贴近产业发展需求。

台积电作为全世界的积体电路制造龙头，亦持续投入产学合作，深耕臺湾半导体人才培育。本次与国研院半导体中心合作发表国际指标性论文，除证明国内研究于相关领域已跻身国际领先团队外，也期望透过半导体中心培育人才之机制，协助臺湾高阶半导体人才与未来主流技术接轨，深化臺湾半导体科技之研发量能。