《半导体》爱普报喜！新一代硅电容获客户验证

爱普*的S-SiCapTM使用先进的堆迭式电容技术(Stack Capacitor)开发，相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度更高、体积更小更薄，且具有极佳的温度与电压稳定性。S-SiCapTM Gen3的电容值密度可达2.5uF/mm2，操作电压最高可支援1.2V，同时具有相当低的等效串联电感(Equivalent Series Inductance)及等效串联电阻(Equivalent Series Resistance)，在高频操作下能提供优异的稳压能力。

爱普*总经理洪志勋表示，在高阶手机及HPC晶片的应用趋势中，SoC需提供更高的效能，但同时可能会伴随功耗增加、电压不稳的情况，客户为了稳定电压，对电容规格的要求也会提高，优化产品整体表现。爱普*新一代S-SiCapTM Gen3超越传统电容，电容密度更高、更薄、应用更多元，可搭配先进封装制程大幅提升SoC效能，在目前市场上极具优势。