SK海力士Q1转盈 NAND Flash事业恢復获利

SK海力士上季营收与去年同期相比增加1倍以上。上季营业获利率23％，较前一季足足增加20个百分点。上季净利1.92兆韩元，与去年同期相比转亏为盈，是2022年第三季以来首度达成净利。

SK海力士表示上季除了应用于AI伺服器的高频宽记忆体（HBM）晶片大卖之外，高获利的企业级固态硬碟（eSSD）销售比重也增加，带动整体NAND Flash晶片事业復甦。

前两年全球不景气打击消费需求，造成记忆体晶片库存堆积、价格暴跌。SK海力士及三星电子等晶片大厂相继减产以对，导致SK海力士连5季亏损。去年AI市场爆炸性成长为HBM为首的高阶DRAM晶片创造庞大需求，让SK海力士DRAM事业在去年恢復获利，NAND Flash事业也在上季恢復获利。

SK海力士25日表示整体记忆体晶片市场已走出低迷，预期未来几个月持续成长，除了HBM晶片需求快速升温之外，传统DRAM晶片需求也可望在下半年復甦。

为了抢攻AI商机，SK海力士表示将尽速提高HBM3E晶片产能，并预计在今年推出32GB DDR5晶片。SK海力士日前已宣布将在韩国清州市投资20兆韩元兴建一座DRAM封装厂，预计明年11月前完工并开始量产。