法人分析，目前汉磊有1座5吋厂及两座6吋厂，除了高压mosfet 外，近年转型为发展第三代半导体SiC，以及部分GaN，由于未来SiC尺寸朝向8吋发展，但汉磊自己没有8吋晶圆厂，因此，与世界先进寻求合作。
目前由于车用市场及消费性应用需求疲弱，汉磊 Si-base 业绩仍在谷底，而 SiC受到大陆太阳能库存调整影响，上半年也大幅衰退，公司已连续三个季度亏损，仅管随着大陆 SiC基板产能开出价格走跌，有助于扩大SiC应用市场，然而短期基板下降，也连带影响晶圆代工价格。此外，世界先进的私募认股折价约20％，因此，法人对汉磊现阶段评等维持中立。
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