英飞凌 推出全球最薄硅功率晶圆

继推出全球首款12吋氮化镓（GaN）功率半导体晶圆后，英飞凌今（29）日再度宣布制造出迄今最薄的硅功率晶圆，晶圆厚度仅20微米，比人的头髮还要细，是目前最先进晶圆厚度的一半。

英飞凌指出，这项创新将有助于大幅提高AI资料中心、消费、马达控制和运算应用中功率转换解决方案的能源效率、功率密度和可靠性；由于晶圆厚度减少了一半，基板电阻较原本基于40-60微米厚的传统半导体晶圆解决方案降低了50％，因此电源系统中的功率损耗可减少15％以上。

英飞凌补充，对于高阶AI伺服器应用来说，电流增大会推动能源需求上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压，对于电源转换来说尤为重要；而超薄晶圆技术大幅促进基于垂直沟槽MOSFET技术的垂直功率传输设计，且这种设计实现了与AI晶片处理器的高度紧密连接，在减少功率损耗的同时，提高整体效率。

英飞凌指出，该技术已获得客户认可，并被应用于英飞凌的整合智慧功率级（DC-DC转换器）中，同时，该技术还拥有与 20 微米晶圆技术相关的强大专利组合，而随着目前超薄晶圆技术的发展，预计在未来三到四年内将取代现有的传统晶圆技术用于低压功率转换器。