《科技》明年DRAM位元产出增 厂商要获利需谨慎产能

根据TrendForce最新调查，DRAM产业结构越趋复杂，除既有的PC、server、mobile、graphics和consumer DRAM外，又新增HBM品项。从地缘角度分析，近年中国供应商的产能快速成长，预期将造成供给版图变化。吴雅婷指出，三大DRAM原厂中，SK hynix因HBM产品大幅提升获利，2025年新增产能幅度最大。预估2025年整体DRAM产业位元产出将增加25%，若扣除中国供应商的供给，年增幅度将略减为21%。然目前中国业者的产出绝大多数提供给本地客户，供应至海外地区的比例微小。

得益于AI需求，HBM成为DRAM产业重要驱动力。如排除HBM产品，2025年一般型DRAM(Conventional DRAM)位元产出预计年增20%；当扣除HBM和中国业者的供给，即只看三大原厂的conventional DRAM位元产出，预估明年将年增15%，于歷年情况中属偏低水位。一般而言，一般型DRAM包含DDR5、DDR4、LPDDR4/5，以及graphics和consumer DRAM。

TrendForce指出，2025年整体DRAM产业位元供给充足，若需求不如预期，供应商易面临跌价压力。在地缘考量下，中国的DRAM供给达成率将高于其他地区，以使用旧制程的LPDDR4x与DDR4为主，这两项产品的价格压力将远高于其他类别。此外，明年HBM供货将持续吃紧，以HBM3e情况最严重。