《科技》先进制程与AI推动 2025年3趋势促CoWoS需求大增

TrendForce指出，晶圆厂前段制程发展至7奈米制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，鳍式场效（FinFET）结构自3奈米制程开始逐渐面临物理极限，使先进制程技术自此出现分歧，台积电(2330)、英特尔（Intel）及三星各採取不同策略推进。

其中，台积电及英特尔延续FinFET结构，于2023年量产3奈米产品。三星虽尝试由3奈米首先导入基于环绕闸极电晶体（GAAFET）的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构，并率先于2022年正式量产，但至今未放量。

展望2025年，台积电2奈米转进奈米片（Nanosheet）电晶体架构，英特尔18A则导入带式场效电晶体（RibbonFET），三星致力改善MBCFET 3奈米制程、力拚实现规模量产，三方正式转进GAAFET架构竞赛，提供更高效能、更低功耗且单位面积电晶体密度更高的晶片。

而AI应用带动客制化晶片及封装面积需求日益提升，同步推升CoWoS先进封装需求。TrendForce观察，2025年CoWoS有三大重要发展。首先，辉达（NVIDIA）对台积电CoWoS需求占比将升至近60％，并驱动台积电CoWoS月产能于年底达75～80K、接近翻倍。

其次，NVIDIA Blackwell新平台在2025年上半年逐步放量后，将带动CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60％。最后，云端服务供应商（CSP）积极投入特殊应用（ASIC）AI晶片建置，亚马逊网路服务（AWS）等业者对CoWoS需求量亦将明显上升。