HBM与大容量DDR5位元需求高速成长将维持数年，且因产能及资本支出排挤效应而使其他领域的DRAM产品，同样出现供不应求的局面。其中，DDR3 4Gb(512Mx8)每颗现货价10月起持续飙涨，11月11日已升抵3.44元美元，较10月合约价的2.2元美元，溢价56%，法人预期，使华邦电成为最大受益者，目标价上调至75元，不仅暂居土洋法人之最，距「8字头」又更进一步。
富邦投顾表示，依现有能见度，华邦电主要经营的DDR4/3产品价格涨势短期看不到尽头，目前研判最快要到明年第4季至后年第1季间，才会出现价格反转，换言之，明年上半年价格料仍持续走高，并在下半年维持高檔。
华邦电受惠存货跌价大回冲，第3季毛利率飙升至46.7%，EPS0.65元令人惊艷，因此维持「买进」评级，目标价由48元一口气升至75元。
明后年华邦电资本支出逾400亿元，用于投资路竹厂、台中厂，其中路竹厂产能可由目前15k提升至24k，其中约2/3採用16奈米制程；台中厂投资额50亿元，扩产幅度约2成，主要用于 F45nm(NOR)、24nm(SLC NAND)，扩大销售领域，儘管投片量增幅仅约6成，但公司评估最终路竹厂扩产完成后，总位元产出可较目前成长1倍。（文章未完…全文见此）
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